半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
2期
241-245
,共5页
孟志琴%郝跃%唐瑜%马晓华%朱志炜%李永坤
孟誌琴%郝躍%唐瑜%馬曉華%硃誌煒%李永坤
맹지금%학약%당유%마효화%주지위%리영곤
X射线%辐射%总剂量效应%关态泄漏电流
X射線%輻射%總劑量效應%關態洩漏電流
X사선%복사%총제량효응%관태설루전류
选取了采用0.25μm工艺的两组器件进行研究.通过对这两种器件关态泄漏电流、跨导和栅电流等电学参数进行分析,得出当器件发展到深亚微米阶段时,影响其辐射效应的主要原因是场氧化层中的陷阱电荷.并对相关机理进行了分析和仿真验证.
選取瞭採用0.25μm工藝的兩組器件進行研究.通過對這兩種器件關態洩漏電流、跨導和柵電流等電學參數進行分析,得齣噹器件髮展到深亞微米階段時,影響其輻射效應的主要原因是場氧化層中的陷阱電荷.併對相關機理進行瞭分析和倣真驗證.
선취료채용0.25μm공예적량조기건진행연구.통과대저량충기건관태설루전류、과도화책전류등전학삼수진행분석,득출당기건발전도심아미미계단시,영향기복사효응적주요원인시장양화층중적함정전하.병대상관궤리진행료분석화방진험증.
