激光技术
激光技術
격광기술
LASER TECHNOLOGY
2008年
2期
163-165,170
,共4页
吕蓬%郭亨群%王加贤%李立卫%申继伟
呂蓬%郭亨群%王加賢%李立衛%申繼偉
려봉%곽형군%왕가현%리립위%신계위
激光技术%射频磁控反应溅射%纳米硅镶嵌氮化硅薄膜%Nd∶YAG激光器%被动调Q
激光技術%射頻磁控反應濺射%納米硅鑲嵌氮化硅薄膜%Nd∶YAG激光器%被動調Q
격광기술%사빈자공반응천사%납미규양감담화규박막%Nd∶YAG격광기%피동조Q
为了研究纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料的被动调Q特性,采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理在单晶硅衬底上制备该薄膜,用该样品作为可饱和吸收体,在凹-平腔中实现了氙灯抽运Nd: YAG激光器的被动调Q运转,在抽运重复频率1Hz情况下获得脉宽最小可达19ns的调Q单脉冲输出.并且研究了该薄膜结构特性、激光器参数,如抽运电压、腔长对调Q脉冲输出性能产生的影响.在此基础上,对实验现象产生的原因做了分析讨论.结果表明,纳米硅镶嵌氮化硅薄膜有一定的调Q效果,具有潜在的研究及应用价值.
為瞭研究納米硅鑲嵌氮化硅薄膜材料的被動調Q特性,採用射頻磁控反應濺射法結閤熱退火處理在單晶硅襯底上製備該薄膜,用該樣品作為可飽和吸收體,在凹-平腔中實現瞭氙燈抽運Nd: YAG激光器的被動調Q運轉,在抽運重複頻率1Hz情況下穫得脈寬最小可達19ns的調Q單脈遲輸齣.併且研究瞭該薄膜結構特性、激光器參數,如抽運電壓、腔長對調Q脈遲輸齣性能產生的影響.在此基礎上,對實驗現象產生的原因做瞭分析討論.結果錶明,納米硅鑲嵌氮化硅薄膜有一定的調Q效果,具有潛在的研究及應用價值.
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