纳米技术与精密工程
納米技術與精密工程
납미기술여정밀공정
NANOTECHNOLOGY AND PRECISION ENGINEERING
2008年
3期
227-231
,共5页
CdS%晶型%纳米粒子%纳米棒
CdS%晶型%納米粒子%納米棒
CdS%정형%납미입자%납미봉
硫化镉(CdS)是典型的半导体材料之一,因其在光电、光学和催化方面的应用前景,引起了广泛的重视.文中结合水热法和溶剂热法,在高压釜中形成以水和正己烷为溶剂的两相溶剂,并借助超声分散,以氯化镉(CdCl2)和硫代乙酰胺(TAA)为原料,在不同的加热时间和加热温度条件下成功制得CdS纳米粒子和纳米棒,并用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)、扫描电镜(SEM)、能谱及荧光光谱(LS)对其晶型、形貌、尺寸、组成进行了表征.结果表明,制得的CdS纳米粒子与纳米棒尺寸分布均匀,分散性好;加热时间和加热温度是CdS晶型的主要影响因素,即较低的温度有利于CdS立方晶的形成,较高的温度有利于六方晶的形成;同时,延长加热时间有利于晶型的完善,但颗粒粒径会随之增大.
硫化鎘(CdS)是典型的半導體材料之一,因其在光電、光學和催化方麵的應用前景,引起瞭廣汎的重視.文中結閤水熱法和溶劑熱法,在高壓釜中形成以水和正己烷為溶劑的兩相溶劑,併藉助超聲分散,以氯化鎘(CdCl2)和硫代乙酰胺(TAA)為原料,在不同的加熱時間和加熱溫度條件下成功製得CdS納米粒子和納米棒,併用X射線衍射(XRD)、高分辨透射電鏡(HRTEM)、掃描電鏡(SEM)、能譜及熒光光譜(LS)對其晶型、形貌、呎吋、組成進行瞭錶徵.結果錶明,製得的CdS納米粒子與納米棒呎吋分佈均勻,分散性好;加熱時間和加熱溫度是CdS晶型的主要影響因素,即較低的溫度有利于CdS立方晶的形成,較高的溫度有利于六方晶的形成;同時,延長加熱時間有利于晶型的完善,但顆粒粒徑會隨之增大.
류화력(CdS)시전형적반도체재료지일,인기재광전、광학화최화방면적응용전경,인기료엄범적중시.문중결합수열법화용제열법,재고압부중형성이수화정기완위용제적량상용제,병차조초성분산,이록화력(CdCl2)화류대을선알(TAA)위원료,재불동적가열시간화가열온도조건하성공제득CdS납미입자화납미봉,병용X사선연사(XRD)、고분변투사전경(HRTEM)、소묘전경(SEM)、능보급형광광보(LS)대기정형、형모、척촌、조성진행료표정.결과표명,제득적CdS납미입자여납미봉척촌분포균균,분산성호;가열시간화가열온도시CdS정형적주요영향인소,즉교저적온도유리우CdS립방정적형성,교고적온도유리우륙방정적형성;동시,연장가열시간유리우정형적완선,단과립립경회수지증대.