科学技术与工程
科學技術與工程
과학기술여공정
SCIENCE TECHNOLOGY AND ENGINEERING
2010年
16期
3951-3953,3957
,共4页
陈景升%左然%于海群%彭鑫鑫
陳景升%左然%于海群%彭鑫鑫
진경승%좌연%우해군%팽흠흠
GaN生长%MMG%反应路径%数值模拟
GaN生長%MMG%反應路徑%數值模擬
GaN생장%MMG%반응로경%수치모의
针对GaN薄膜沉积过程中涉及到的复杂的化学反应,依据GaN沉积的4个基本要素,提出MMG是GaN薄膜沉积的主要反应前体,并在TMG的气相分解路径中引入NH2基团.通过对表面反应机理的分析,提出了4条简化的表面反应路径.利用上述反应路径,对典型的垂直式MOCVD反应器进行CFD模拟.结果表明,采用作者提出的反应路径所获得的GaN沉积速率与文献中的实验数据基本吻合.
針對GaN薄膜沉積過程中涉及到的複雜的化學反應,依據GaN沉積的4箇基本要素,提齣MMG是GaN薄膜沉積的主要反應前體,併在TMG的氣相分解路徑中引入NH2基糰.通過對錶麵反應機理的分析,提齣瞭4條簡化的錶麵反應路徑.利用上述反應路徑,對典型的垂直式MOCVD反應器進行CFD模擬.結果錶明,採用作者提齣的反應路徑所穫得的GaN沉積速率與文獻中的實驗數據基本吻閤.
침대GaN박막침적과정중섭급도적복잡적화학반응,의거GaN침적적4개기본요소,제출MMG시GaN박막침적적주요반응전체,병재TMG적기상분해로경중인입NH2기단.통과대표면반응궤리적분석,제출료4조간화적표면반응로경.이용상술반응로경,대전형적수직식MOCVD반응기진행CFD모의.결과표명,채용작자제출적반응로경소획득적GaN침적속솔여문헌중적실험수거기본문합.
