河南师范大学学报（自然科学版）
河南師範大學學報（自然科學版）
하남사범대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF HENAN NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2011年
2期
39-42
,共4页
李超%李苗苗%戴宪起%常方高
李超%李苗苗%戴憲起%常方高
리초%리묘묘%대헌기%상방고
CIGS%CIAS%第一性原理%能态密度%光学特性
CIGS%CIAS%第一性原理%能態密度%光學特性
CIGS%CIAS%제일성원리%능태밀도%광학특성
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似的PBE平面波超软赝势方法计算了CuIn1-xGaxSe2(CIGS)和CuIn1 -xAlxSe2 (CIAS)的电子结构及光学性质.计算结果表明黄铜矿型CIGS和CIAS都是直接带隙半导体材料,禁带宽度分别为1.34 eV,1.50 eV.计算并对比分析了CIGS和CIAS的态密度,吸收系数,反射率,复介电函数和折射指数随光子能量的变化关系.结果表明CIAS的禁带宽度偏大,导致了它的吸收光谱和复介电函数虚部相对于CIGS发生了蓝移,并且反射率较低.
採用基于密度汎函理論(DFT)框架下廣義梯度近似的PBE平麵波超軟贗勢方法計算瞭CuIn1-xGaxSe2(CIGS)和CuIn1 -xAlxSe2 (CIAS)的電子結構及光學性質.計算結果錶明黃銅礦型CIGS和CIAS都是直接帶隙半導體材料,禁帶寬度分彆為1.34 eV,1.50 eV.計算併對比分析瞭CIGS和CIAS的態密度,吸收繫數,反射率,複介電函數和摺射指數隨光子能量的變化關繫.結果錶明CIAS的禁帶寬度偏大,導緻瞭它的吸收光譜和複介電函數虛部相對于CIGS髮生瞭藍移,併且反射率較低.
채용기우밀도범함이론(DFT)광가하엄의제도근사적PBE평면파초연안세방법계산료CuIn1-xGaxSe2(CIGS)화CuIn1 -xAlxSe2 (CIAS)적전자결구급광학성질.계산결과표명황동광형CIGS화CIAS도시직접대극반도체재료,금대관도분별위1.34 eV,1.50 eV.계산병대비분석료CIGS화CIAS적태밀도,흡수계수,반사솔,복개전함수화절사지수수광자능량적변화관계.결과표명CIAS적금대관도편대,도치료타적흡수광보화복개전함수허부상대우CIGS발생료람이,병차반사솔교저.
