半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
4期
271-275
,共5页
刘冬华%胡君%钱文生%陈帆%陈雄斌%段文婷
劉鼕華%鬍君%錢文生%陳帆%陳雄斌%段文婷
류동화%호군%전문생%진범%진웅빈%단문정
关键词%p-i-n二极管%锗硅异质结双极型晶体管%双极互补金属氧化物半导体%赝埋层%工艺和器件仿真
關鍵詞%p-i-n二極管%鍺硅異質結雙極型晶體管%雙極互補金屬氧化物半導體%贗埋層%工藝和器件倣真
관건사%p-i-n이겁관%타규이질결쌍겁형정체관%쌍겁호보금속양화물반도체%안매층%공예화기건방진
介绍了一种集成在BiCMOS工艺的p-i-n开关二极管的器件.它由在STI下面的n型赝埋层作为p-i-n的n区,锗硅npn异质结双极型晶体管的重掺杂外基区作为p-i-n的p区.同时新开发了穿过场氧的深接触孔工艺用于赝埋层的直接引出,并采用p-i-n注入用于对i区进行轻掺杂.借助半导体工艺与器件仿真软件,得到了有源区尺寸、赝埋层到有源区的距离、p-i-n注入条件等关键工艺参数对p-i-n性能的影响.最后优化设计的p-i-n二极管,其在2.4 GHz频率下的指标参数,如插入损耗为- 0.56 dB,隔离度为- 22.26 dB,击穿电压大于15 V,它达到了WiFi电路中的开关器件的性能要求.
介紹瞭一種集成在BiCMOS工藝的p-i-n開關二極管的器件.它由在STI下麵的n型贗埋層作為p-i-n的n區,鍺硅npn異質結雙極型晶體管的重摻雜外基區作為p-i-n的p區.同時新開髮瞭穿過場氧的深接觸孔工藝用于贗埋層的直接引齣,併採用p-i-n註入用于對i區進行輕摻雜.藉助半導體工藝與器件倣真軟件,得到瞭有源區呎吋、贗埋層到有源區的距離、p-i-n註入條件等關鍵工藝參數對p-i-n性能的影響.最後優化設計的p-i-n二極管,其在2.4 GHz頻率下的指標參數,如插入損耗為- 0.56 dB,隔離度為- 22.26 dB,擊穿電壓大于15 V,它達到瞭WiFi電路中的開關器件的性能要求.
개소료일충집성재BiCMOS공예적p-i-n개관이겁관적기건.타유재STI하면적n형안매층작위p-i-n적n구,타규npn이질결쌍겁형정체관적중참잡외기구작위p-i-n적p구.동시신개발료천과장양적심접촉공공예용우안매층적직접인출,병채용p-i-n주입용우대i구진행경참잡.차조반도체공예여기건방진연건,득도료유원구척촌、안매층도유원구적거리、p-i-n주입조건등관건공예삼수대p-i-n성능적영향.최후우화설계적p-i-n이겁관,기재2.4 GHz빈솔하적지표삼수,여삽입손모위- 0.56 dB,격리도위- 22.26 dB,격천전압대우15 V,타체도료WiFi전로중적개관기건적성능요구.
