核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2012年
7期
753-757
,共5页
王娜%江晓山%李怀申%盛华义%邹敏%刘刚%赵京伟
王娜%江曉山%李懷申%盛華義%鄒敏%劉剛%趙京偉
왕나%강효산%리부신%성화의%추민%류강%조경위
微结构气体探测器%电荷灵敏前置放大器%电荷增益级%特定应用集成电路设计
微結構氣體探測器%電荷靈敏前置放大器%電荷增益級%特定應用集成電路設計
미결구기체탐측기%전하령민전치방대기%전하증익급%특정응용집성전로설계
介绍了一种用于MICROMEGAS气体探测器的电荷灵敏前放ASIC设计,重点介绍了电路结构,详细分析了电荷灵敏前放的噪声.针对探测器的应用,实现了一种新型电荷灵敏前置放大芯片MMCSA的设计.MMCSA芯片采用Chartered 0.35μm工艺制作,测得的输入电荷范围为2～ 350 fC,噪声为小于1000 e-.
介紹瞭一種用于MICROMEGAS氣體探測器的電荷靈敏前放ASIC設計,重點介紹瞭電路結構,詳細分析瞭電荷靈敏前放的譟聲.針對探測器的應用,實現瞭一種新型電荷靈敏前置放大芯片MMCSA的設計.MMCSA芯片採用Chartered 0.35μm工藝製作,測得的輸入電荷範圍為2～ 350 fC,譟聲為小于1000 e-.
개소료일충용우MICROMEGAS기체탐측기적전하령민전방ASIC설계,중점개소료전로결구,상세분석료전하령민전방적조성.침대탐측기적응용,실현료일충신형전하령민전치방대심편MMCSA적설계.MMCSA심편채용Chartered 0.35μm공예제작,측득적수입전하범위위2～ 350 fC,조성위소우1000 e-.
