低温物理学报
低溫物理學報
저온물이학보
CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS
2006年
1期
36-39
,共4页
赵少奇%康琳%吴培亨%叶宇达
趙少奇%康琳%吳培亨%葉宇達
조소기%강림%오배형%협우체
MgO%射频磁控溅射%0.812nm%0.421nm
MgO%射頻磁控濺射%0.812nm%0.421nm
MgO%사빈자공천사%0.812nm%0.421nm
我们用射频磁控溅射方法,在Si(100)单晶衬底上生长MgO薄膜,借助X射线衍射(XRD)分析发现,我们获得了两种不同晶体结构的MgO薄膜,分别是常规的晶格常数为0.421nm的MgO薄膜和晶格常数为0.812nm的新结构的MgO薄膜.我们研究了溅射气压、衬底温度等工艺参数对两种晶体结构择取的影响.实验表明,高的溅射气压和高的衬底温度有利于晶格常数为0.812nm的新结构的MgO相的形成.在高的气压和温度下,我们制备出了晶格常数为0.812nm,具有很好的4次对称性的MgO外延薄膜.利用原子力显微镜(AFM)研究了这种薄膜的表面形貌.
我們用射頻磁控濺射方法,在Si(100)單晶襯底上生長MgO薄膜,藉助X射線衍射(XRD)分析髮現,我們穫得瞭兩種不同晶體結構的MgO薄膜,分彆是常規的晶格常數為0.421nm的MgO薄膜和晶格常數為0.812nm的新結構的MgO薄膜.我們研究瞭濺射氣壓、襯底溫度等工藝參數對兩種晶體結構擇取的影響.實驗錶明,高的濺射氣壓和高的襯底溫度有利于晶格常數為0.812nm的新結構的MgO相的形成.在高的氣壓和溫度下,我們製備齣瞭晶格常數為0.812nm,具有很好的4次對稱性的MgO外延薄膜.利用原子力顯微鏡(AFM)研究瞭這種薄膜的錶麵形貌.
아문용사빈자공천사방법,재Si(100)단정츤저상생장MgO박막,차조X사선연사(XRD)분석발현,아문획득료량충불동정체결구적MgO박막,분별시상규적정격상수위0.421nm적MgO박막화정격상수위0.812nm적신결구적MgO박막.아문연구료천사기압、츤저온도등공예삼수대량충정체결구택취적영향.실험표명,고적천사기압화고적츤저온도유리우정격상수위0.812nm적신결구적MgO상적형성.재고적기압화온도하,아문제비출료정격상수위0.812nm,구유흔호적4차대칭성적MgO외연박막.이용원자력현미경(AFM)연구료저충박막적표면형모.
