液晶与显示
液晶與顯示
액정여현시
CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
2008年
1期
35-38
,共4页
张化福%袁玉珍%臧永丽%祁康成
張化福%袁玉珍%臧永麗%祁康成
장화복%원옥진%장영려%기강성
TFT%SiN%薄膜%界面特性
TFT%SiN%薄膜%界麵特性
TFT%SiN%박막%계면특성
以NH3和SiH4为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了SiNx薄膜.系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx薄膜界面特性的影响.分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiNx薄膜中的si/N比和H含量影响薄膜的界面特性,而NH3/SiH4流量比则主要通过影响薄膜中的H含量影响薄膜界面特性.实验制备的SiNx薄膜层中的固定电荷密度、可动离子密度、SiNx与p-si之间的界面态密度分别达到了1.7×1012/cm2、1.4×1012/cm2、3.5×1012/(eV·cm2),其界面特性达到了制备高质量p-si TFT栅绝缘层的性能要求.
以NH3和SiH4為反應源氣體,在低溫下採用射頻等離子體增彊化學氣相沉積(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)襯底上沉積瞭SiNx薄膜.繫統地分析討論瞭沉積溫度、射頻功率、反應源氣體流量比對SiNx薄膜界麵特性的影響.分析錶明,沉積溫度和射頻功率主要是通過影響SiNx薄膜中的si/N比和H含量影響薄膜的界麵特性,而NH3/SiH4流量比則主要通過影響薄膜中的H含量影響薄膜界麵特性.實驗製備的SiNx薄膜層中的固定電荷密度、可動離子密度、SiNx與p-si之間的界麵態密度分彆達到瞭1.7×1012/cm2、1.4×1012/cm2、3.5×1012/(eV·cm2),其界麵特性達到瞭製備高質量p-si TFT柵絕緣層的性能要求.
이NH3화SiH4위반응원기체,재저온하채용사빈등리자체증강화학기상침적(RF-PECVD)법재다정규(p-Si)츤저상침적료SiNx박막.계통지분석토론료침적온도、사빈공솔、반응원기체류량비대SiNx박막계면특성적영향.분석표명,침적온도화사빈공솔주요시통과영향SiNx박막중적si/N비화H함량영향박막적계면특성,이NH3/SiH4류량비칙주요통과영향박막중적H함량영향박막계면특성.실험제비적SiNx박막층중적고정전하밀도、가동리자밀도、SiNx여p-si지간적계면태밀도분별체도료1.7×1012/cm2、1.4×1012/cm2、3.5×1012/(eV·cm2),기계면특성체도료제비고질량p-si TFT책절연층적성능요구.
