半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2008年
4期
490-492,496
,共4页
花吉珍%徐会武%陈国鹰%任浩
花吉珍%徐會武%陳國鷹%任浩
화길진%서회무%진국응%임호
激光器阵列bar%光纤耦合%偏振合束
激光器陣列bar%光纖耦閤%偏振閤束
격광기진렬bar%광섬우합%편진합속
对半导体激光器阵列bar光纤耦合技术进行了分析和模拟,研制了双bar光纤耦合模块,成功地将双bar条通过偏振合束的方法耦合进芯径为400μm、数值孔径为0.22的光纤,其连续功率为60W,功率密度为4.8×104W/cm2.
對半導體激光器陣列bar光纖耦閤技術進行瞭分析和模擬,研製瞭雙bar光纖耦閤模塊,成功地將雙bar條通過偏振閤束的方法耦閤進芯徑為400μm、數值孔徑為0.22的光纖,其連續功率為60W,功率密度為4.8×104W/cm2.
대반도체격광기진렬bar광섬우합기술진행료분석화모의,연제료쌍bar광섬우합모괴,성공지장쌍bar조통과편진합속적방법우합진심경위400μm、수치공경위0.22적광섬,기련속공솔위60W,공솔밀도위4.8×104W/cm2.
