微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
10期
606-610
,共5页
陈扬文%江素华%邵丙铣%戎瑞芬%汪荣昌%顾志光%王家楫
陳颺文%江素華%邵丙鐉%戎瑞芬%汪榮昌%顧誌光%王傢楫
진양문%강소화%소병선%융서분%왕영창%고지광%왕가즙
Si纳米线%磁控溅射%镀Ni%退火%薄膜
Si納米線%磁控濺射%鍍Ni%退火%薄膜
Si납미선%자공천사%도Ni%퇴화%박막
研究了Si纳米线表面Ni薄膜生长工艺.采用热蒸发法以SiO为起始原料制备自组生长的Si纳米线,再以5%(体积分数)HF剔除Si纳米线表面硅氧化合物,采用氩离子磁控溅射的方法在Si纳米线表面溅射一定厚度的无定形Ni颗粒,此后对镀Ni的Si纳米线进行完整晶体结构的退火处理.应用高分辨透射电镜(HRTEM)等结构表征工具分析了Si纳米线表面Ni薄膜的形成过程,HRTEM结果表明,在350℃左右退火得到的Si纳米线表面能形成连续的、结构完整的Ni薄膜;退火温度低于300℃时,表面溅射的Ni结晶效果较差;退火温度在800℃时,表面Ni薄膜发生团聚,形成了分立的纳米颗粒.
研究瞭Si納米線錶麵Ni薄膜生長工藝.採用熱蒸髮法以SiO為起始原料製備自組生長的Si納米線,再以5%(體積分數)HF剔除Si納米線錶麵硅氧化閤物,採用氬離子磁控濺射的方法在Si納米線錶麵濺射一定厚度的無定形Ni顆粒,此後對鍍Ni的Si納米線進行完整晶體結構的退火處理.應用高分辨透射電鏡(HRTEM)等結構錶徵工具分析瞭Si納米線錶麵Ni薄膜的形成過程,HRTEM結果錶明,在350℃左右退火得到的Si納米線錶麵能形成連續的、結構完整的Ni薄膜;退火溫度低于300℃時,錶麵濺射的Ni結晶效果較差;退火溫度在800℃時,錶麵Ni薄膜髮生糰聚,形成瞭分立的納米顆粒.
연구료Si납미선표면Ni박막생장공예.채용열증발법이SiO위기시원료제비자조생장적Si납미선,재이5%(체적분수)HF척제Si납미선표면규양화합물,채용아리자자공천사적방법재Si납미선표면천사일정후도적무정형Ni과립,차후대도Ni적Si납미선진행완정정체결구적퇴화처리.응용고분변투사전경(HRTEM)등결구표정공구분석료Si납미선표면Ni박막적형성과정,HRTEM결과표명,재350℃좌우퇴화득도적Si납미선표면능형성련속적、결구완정적Ni박막;퇴화온도저우300℃시,표면천사적Ni결정효과교차;퇴화온도재800℃시,표면Ni박막발생단취,형성료분립적납미과립.
