电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2010年
12期
1-4
,共4页
江丰%沈鸿烈%鲁林峰%杨超%罗军
江豐%瀋鴻烈%魯林峰%楊超%囉軍
강봉%침홍렬%로림봉%양초%라군
AZO%Al2O3过渡层%磁控溅射%电阻率%透射率
AZO%Al2O3過渡層%磁控濺射%電阻率%透射率
AZO%Al2O3과도층%자공천사%전조솔%투사솔
采用磁控溅射法,在预先沉积了Al2O3过渡层的玻璃衬底上制备了性能优良的AZO薄膜.借助XRD、AFM、四探针仪和分光光度计对AZO薄膜的结构、表面形貌以及电学和光学性质进行了表征,并研究了Al2O3过渡层厚度对AZO薄膜性能的影响.结果表明:Al2O3过渡层的添加对AZO薄膜的表面形貌有一定影响;AZO薄膜的结晶质量随着过渡层厚度的增加先上升后下降;AZO薄膜的电阻率因过渡层的添加而明显降低,特别是在AZO薄膜较薄时;在添加了1～3nm厚的过渡层后,160nm厚的AZO薄膜的电阻率下降了44%左右;AZO薄膜的可见光透射率和光学带隙基本不受过渡层影响.
採用磁控濺射法,在預先沉積瞭Al2O3過渡層的玻璃襯底上製備瞭性能優良的AZO薄膜.藉助XRD、AFM、四探針儀和分光光度計對AZO薄膜的結構、錶麵形貌以及電學和光學性質進行瞭錶徵,併研究瞭Al2O3過渡層厚度對AZO薄膜性能的影響.結果錶明:Al2O3過渡層的添加對AZO薄膜的錶麵形貌有一定影響;AZO薄膜的結晶質量隨著過渡層厚度的增加先上升後下降;AZO薄膜的電阻率因過渡層的添加而明顯降低,特彆是在AZO薄膜較薄時;在添加瞭1～3nm厚的過渡層後,160nm厚的AZO薄膜的電阻率下降瞭44%左右;AZO薄膜的可見光透射率和光學帶隙基本不受過渡層影響.
채용자공천사법,재예선침적료Al2O3과도층적파리츤저상제비료성능우량적AZO박막.차조XRD、AFM、사탐침의화분광광도계대AZO박막적결구、표면형모이급전학화광학성질진행료표정,병연구료Al2O3과도층후도대AZO박막성능적영향.결과표명:Al2O3과도층적첨가대AZO박막적표면형모유일정영향;AZO박막적결정질량수착과도층후도적증가선상승후하강;AZO박막적전조솔인과도층적첨가이명현강저,특별시재AZO박막교박시;재첨가료1～3nm후적과도층후,160nm후적AZO박막적전조솔하강료44%좌우;AZO박막적가견광투사솔화광학대극기본불수과도층영향.
