河北科技师范学院学报
河北科技師範學院學報
하북과기사범학원학보
JOURNAL OF HEBEI NORMAL UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOGY
2011年
2期
17-21
,共5页
张志伟%潘勇%廉琪%沈喜海%邵丽君%张卫国
張誌偉%潘勇%廉琪%瀋喜海%邵麗君%張衛國
장지위%반용%렴기%침희해%소려군%장위국
Zn2SiO4%第一性原理%电子结构%光学性质
Zn2SiO4%第一性原理%電子結構%光學性質
Zn2SiO4%제일성원리%전자결구%광학성질
使用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对三斜结构的Zn2SiO4的能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算.能带计算结果表明,Zn2SiO4是具有能隙为1.086 eV的直接带隙半导体;其价带主要是由Zn的3d态电子和O的2P态电子构成,导带在6.5～7.5 ev之间,起主要贡献的是Zn的3p和4s态电子;对光学性质计算表明,Zn2SiO4的静态介电常数ε1(0)=1.793,折射率n0=3.35,吸收系数最大值8.56×104cm-1.
使用基于第一性原理的密度汎函理論(DFT)贗勢平麵波方法,對三斜結構的Zn2SiO4的能帶結構、態密度和光學性質進行瞭理論計算.能帶計算結果錶明,Zn2SiO4是具有能隙為1.086 eV的直接帶隙半導體;其價帶主要是由Zn的3d態電子和O的2P態電子構成,導帶在6.5～7.5 ev之間,起主要貢獻的是Zn的3p和4s態電子;對光學性質計算錶明,Zn2SiO4的靜態介電常數ε1(0)=1.793,摺射率n0=3.35,吸收繫數最大值8.56×104cm-1.
사용기우제일성원리적밀도범함이론(DFT)안세평면파방법,대삼사결구적Zn2SiO4적능대결구、태밀도화광학성질진행료이론계산.능대계산결과표명,Zn2SiO4시구유능극위1.086 eV적직접대극반도체;기개대주요시유Zn적3d태전자화O적2P태전자구성,도대재6.5～7.5 ev지간,기주요공헌적시Zn적3p화4s태전자;대광학성질계산표명,Zn2SiO4적정태개전상수ε1(0)=1.793,절사솔n0=3.35,흡수계수최대치8.56×104cm-1.
