中国有色金属学报
中國有色金屬學報
중국유색금속학보
THE CHINESE JOURNAL OF NONFERROUS METALS
2012年
2期
427-433
,共7页
李军%谭周建%廖寄乔%张翔%李丙菊
李軍%譚週建%廖寄喬%張翔%李丙菊
리군%담주건%료기교%장상%리병국
碳化硅晶须%C/C复合材料%稀释气体流量%催化剂%沉积温度
碳化硅晶鬚%C/C複閤材料%稀釋氣體流量%催化劑%沉積溫度
탄화규정수%C/C복합재료%희석기체류량%최화제%침적온도
以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)为先驱体原料,采用化学气相沉积法在C/C复合材料基体上原位生长碳化硅晶须,研究稀释气体流量、催化剂以及沉积温度对碳化硅晶须生长的影响.结果表明:有催化剂存在时可以制备具有较高长径比的SiCw,无催化剂制备的SiC主要以短棒状或球状SiC为主；随着稀释气体流量或者沉积温度的增加,SiCw的产率是先增加、后减少,在1 100℃、载气和稀释气体流量均为100 mL/min时,制备的碳化硅晶须的产率最高,晶须质量最好.
以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)為先驅體原料,採用化學氣相沉積法在C/C複閤材料基體上原位生長碳化硅晶鬚,研究稀釋氣體流量、催化劑以及沉積溫度對碳化硅晶鬚生長的影響.結果錶明:有催化劑存在時可以製備具有較高長徑比的SiCw,無催化劑製備的SiC主要以短棒狀或毬狀SiC為主；隨著稀釋氣體流量或者沉積溫度的增加,SiCw的產率是先增加、後減少,在1 100℃、載氣和稀釋氣體流量均為100 mL/min時,製備的碳化硅晶鬚的產率最高,晶鬚質量最好.
이삼록갑기규완(CH3SiCl3,MTS)위선구체원료,채용화학기상침적법재C/C복합재료기체상원위생장탄화규정수,연구희석기체류량、최화제이급침적온도대탄화규정수생장적영향.결과표명:유최화제존재시가이제비구유교고장경비적SiCw,무최화제제비적SiC주요이단봉상혹구상SiC위주；수착희석기체류량혹자침적온도적증가,SiCw적산솔시선증가、후감소,재1 100℃、재기화희석기체류량균위100 mL/min시,제비적탄화규정수적산솔최고,정수질량최호.
