微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2002年
7期
31-34
,共4页
MEMS%开关%中子辐照%γ射线辐照
MEMS%開關%中子輻照%γ射線輻照
MEMS%개관%중자복조%γ사선복조
进行了MEMS开关的辐照试验,并对结果进行了分析.所述的MEMS开关采用单晶硅悬臂梁结构实现金属电极接触,工作电压小于50V,最大工作频率大于10kHz.进行了中子辐照和γ辐照实验,其中中子注量为2.73×1013 cm-2,γ总剂量为50 krad(Si).并通过对MEMS开关辐照前后性能的测试,获得了辐照对MEMS开关性能影响的实验数据.结果表明,在辐照剂量大于10 krad(Si)时MEMS开关性能有明显变化.借鉴国外的相关研究成果,对MEMS器件的辐照失效机理进行了初步分析.
進行瞭MEMS開關的輻照試驗,併對結果進行瞭分析.所述的MEMS開關採用單晶硅懸臂樑結構實現金屬電極接觸,工作電壓小于50V,最大工作頻率大于10kHz.進行瞭中子輻照和γ輻照實驗,其中中子註量為2.73×1013 cm-2,γ總劑量為50 krad(Si).併通過對MEMS開關輻照前後性能的測試,穫得瞭輻照對MEMS開關性能影響的實驗數據.結果錶明,在輻照劑量大于10 krad(Si)時MEMS開關性能有明顯變化.藉鑒國外的相關研究成果,對MEMS器件的輻照失效機理進行瞭初步分析.
진행료MEMS개관적복조시험,병대결과진행료분석.소술적MEMS개관채용단정규현비량결구실현금속전겁접촉,공작전압소우50V,최대공작빈솔대우10kHz.진행료중자복조화γ복조실험,기중중자주량위2.73×1013 cm-2,γ총제량위50 krad(Si).병통과대MEMS개관복조전후성능적측시,획득료복조대MEMS개관성능영향적실험수거.결과표명,재복조제량대우10 krad(Si)시MEMS개관성능유명현변화.차감국외적상관연구성과,대MEMS기건적복조실효궤리진행료초보분석.
