RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料
RF-MBE생장AlGaN/GaN이유전자기재료
AlGaN/GaN two-dimensional electron gas materials grown by radio-frequency plasma assiste molecular beam epitaxy
  • 万方数据
    材料科学与工艺 재료과학여공예
    MATERIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
    2001年 3期 316-318 ,共3页

    胡国新%孙殿照%王晓亮%刘宏新%刘成海%曾一平%李晋闽%林兰英

    호국신%손전조%왕효량%류굉신%류성해%증일평%리진민%림란영

    RF-MBE%二维电子气%HFET%AlGaN/GaN RF-MBE%二維電子氣%HFET%AlGaN/GaN
    RF-MBE%이유전자기%HFET%AlGaN/GaN
    用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及A1GaN/GaN极化感应二维电子气材料.所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2×1017cm-3,相应的电子迁移率为177 cm2/Vs;GaN(0002)X射线衍射摇摆曲线半高宽(FWHM)为6 arcmin.;A1GaN/GaN极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为730 cm2/Vs,相应的电子气面密度为7.6×1012 cm-2;用此二维电子气材料制作的异质结场效应晶体管(HFET)室温跨导达50 mS/mm(栅长1微米),截止频率达13.25 GHz(栅长0.5微米),可在300℃下工作.
    용사빈등리자체보조분자속외연기술(RF-MBE)재C면람보석츤저상외연료고질량적GaN막이급A1GaN/GaN겁화감응이유전자기재료.소외연적GaN막실온배경전자농도위2×1017cm-3,상응적전자천이솔위177 cm2/Vs;GaN(0002)X사선연사요파곡선반고관(FWHM)위6 arcmin.;A1GaN/GaN겁화감응이유전자기재료적실온전자천이솔위730 cm2/Vs,상응적전자기면밀도위7.6×1012 cm-2;용차이유전자기재료제작적이질결장효응정체관(HFET)실온과도체50 mS/mm(책장1미미),절지빈솔체13.25 GHz(책장0.5미미),가재300℃하공작.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문