浙江大学学报（工学版）
浙江大學學報（工學版）
절강대학학보（공학판）
JOURNAL OF ZHEJIANG UNIVERSITY(ENGINEERING SCIENCE)
2004年
10期
1248-1251
,共4页
吴贵斌%叶志镇%崔继锋%黄靖云%张海燕%赵炳辉%卢焕明
吳貴斌%葉誌鎮%崔繼鋒%黃靖雲%張海燕%趙炳輝%盧煥明
오귀빈%협지진%최계봉%황정운%장해연%조병휘%로환명
超高真空化学气相沉积%硅外延层%亚微米%高频%肖特基二极管
超高真空化學氣相沉積%硅外延層%亞微米%高頻%肖特基二極管
초고진공화학기상침적%규외연층%아미미%고빈%초특기이겁관
为获得亚微米级的薄硅外延层,从而提高硅器件的工作频率,利用自行研制的一台新型超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)系统生长用于高频器件的超薄外延层,该系统由气路部分、控制部分、主体部分组成,反应室本底真空可达5.0×10-8Pa,能够实现在超净环境下低温、低压外延生长.利用该系统在重掺硅衬底上成功生长出了高质量的亚微米薄硅单晶层,外延层厚度为0.1～0.5μm,掺杂浓度为1×1017cm3,过渡区非常窄,达到了制备高频器件的要求;并在此基础上制备出了高频肖特基二极管原型器件,由I-V测试并经过计算,截止频率可达31 GHz.
為穫得亞微米級的薄硅外延層,從而提高硅器件的工作頻率,利用自行研製的一檯新型超高真空化學氣相沉積(UHV/CVD)繫統生長用于高頻器件的超薄外延層,該繫統由氣路部分、控製部分、主體部分組成,反應室本底真空可達5.0×10-8Pa,能夠實現在超淨環境下低溫、低壓外延生長.利用該繫統在重摻硅襯底上成功生長齣瞭高質量的亞微米薄硅單晶層,外延層厚度為0.1～0.5μm,摻雜濃度為1×1017cm3,過渡區非常窄,達到瞭製備高頻器件的要求;併在此基礎上製備齣瞭高頻肖特基二極管原型器件,由I-V測試併經過計算,截止頻率可達31 GHz.
위획득아미미급적박규외연층,종이제고규기건적공작빈솔,이용자행연제적일태신형초고진공화학기상침적(UHV/CVD)계통생장용우고빈기건적초박외연층,해계통유기로부분、공제부분、주체부분조성,반응실본저진공가체5.0×10-8Pa,능구실현재초정배경하저온、저압외연생장.이용해계통재중참규츤저상성공생장출료고질량적아미미박규단정층,외연층후도위0.1～0.5μm,참잡농도위1×1017cm3,과도구비상착,체도료제비고빈기건적요구;병재차기출상제비출료고빈초특기이겁관원형기건,유I-V측시병경과계산,절지빈솔가체31 GHz.
