真空电子技术
真空電子技術
진공전자기술
VACUUM ELECTRONICS
2005年
4期
34-36,47
,共4页
赵世柯%赵建东%肖东梅%康金生
趙世柯%趙建東%肖東梅%康金生
조세가%조건동%초동매%강금생
反应烧结%莫来石%氧化锆%复合材料
反應燒結%莫來石%氧化鋯%複閤材料
반응소결%막래석%양화고%복합재료
以ZrSiO4/Al2O3/SiO2混合粉体为原料,采用反应烧结工艺,通过添加SiO2与"过量"的Al2O3反应,制备了"富"莫来石的ZrO2/莫来石复相陶瓷材料.添加的无定形SiO2在烧结过程中结晶形成中间产物方石英.方石英的形成和莫来石化反应是阻碍致密化的主要因素.结果表明,该体系的反应烧结坯体的致密化是困难的,抑制SiO2晶化,减小莫来石化体积膨胀带来的不利影响是获得致密烧结体的关键.
以ZrSiO4/Al2O3/SiO2混閤粉體為原料,採用反應燒結工藝,通過添加SiO2與"過量"的Al2O3反應,製備瞭"富"莫來石的ZrO2/莫來石複相陶瓷材料.添加的無定形SiO2在燒結過程中結晶形成中間產物方石英.方石英的形成和莫來石化反應是阻礙緻密化的主要因素.結果錶明,該體繫的反應燒結坯體的緻密化是睏難的,抑製SiO2晶化,減小莫來石化體積膨脹帶來的不利影響是穫得緻密燒結體的關鍵.
이ZrSiO4/Al2O3/SiO2혼합분체위원료,채용반응소결공예,통과첨가SiO2여"과량"적Al2O3반응,제비료"부"막래석적ZrO2/막래석복상도자재료.첨가적무정형SiO2재소결과정중결정형성중간산물방석영.방석영적형성화막래석화반응시조애치밀화적주요인소.결과표명,해체계적반응소결배체적치밀화시곤난적,억제SiO2정화,감소막래석화체적팽창대래적불리영향시획득치밀소결체적관건.
