电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2005年
6期
1-3
,共3页
杜金会%于振瑞%张加友%李正群%王妍妍
杜金會%于振瑞%張加友%李正群%王妍妍
두금회%우진서%장가우%리정군%왕연연
复合材料%SiO2:nm-Ag微粉%纳米簇%溶胶–凝胶法
複閤材料%SiO2:nm-Ag微粉%納米簇%溶膠–凝膠法
복합재료%SiO2:nm-Ag미분%납미족%용효–응효법
采用溶胶–凝胶法制备了掺纳米银的二氧化硅(SiO2:nm-Ag)微粉,并探讨其形成机理.用TG-DTA、XRD和TEM研究了微粉的结构特性及其影响因素.结果表明,通过控制制备条件和退火温度可以得到不同结构的SiO2:nm-Ag微粉.干凝胶研磨后在500℃退火,得到的微粉中SiO2主要以非晶硅藻土形式出现,银簇细小而均匀;在900℃退火时得到的微粉中,SiO2主要以低温方石英形式出现,银簇较大且分散.
採用溶膠–凝膠法製備瞭摻納米銀的二氧化硅(SiO2:nm-Ag)微粉,併探討其形成機理.用TG-DTA、XRD和TEM研究瞭微粉的結構特性及其影響因素.結果錶明,通過控製製備條件和退火溫度可以得到不同結構的SiO2:nm-Ag微粉.榦凝膠研磨後在500℃退火,得到的微粉中SiO2主要以非晶硅藻土形式齣現,銀簇細小而均勻;在900℃退火時得到的微粉中,SiO2主要以低溫方石英形式齣現,銀簇較大且分散.
채용용효–응효법제비료참납미은적이양화규(SiO2:nm-Ag)미분,병탐토기형성궤리.용TG-DTA、XRD화TEM연구료미분적결구특성급기영향인소.결과표명,통과공제제비조건화퇴화온도가이득도불동결구적SiO2:nm-Ag미분.간응효연마후재500℃퇴화,득도적미분중SiO2주요이비정규조토형식출현,은족세소이균균;재900℃퇴화시득도적미분중,SiO2주요이저온방석영형식출현,은족교대차분산.
