化学学报
化學學報
화학학보
ACTA CHIMICA SINICA
2005年
6期
460-464
,共5页
三芳胺%电致发光%空穴传输%取代基
三芳胺%電緻髮光%空穴傳輸%取代基
삼방알%전치발광%공혈전수%취대기
用紫外吸收光谱、荧光发射光谱、循环伏安法(CV)、微分脉冲伏安法(DPV)等手段研究了4个4-N,N-二苯胺基均二苯乙烯类化合物的光电性能,计算出它们的电离势(PI)在5.70～5.90 eV,带隙值(Eg)在2.78～2.88 eV,分析了电化学行为,讨论了取代基对吸收光谱、发射光谱和电子结构的影响.结果表明,引入供电子基团OCH3后,分子氧化电位降低,HOMO能量升高,电离势降低;引入吸电子基团-Cl后,氧化电位升高,LUMO能量降低,电子亲和势增加.取代基-C1和-OCH3都使化合物的带隙(Eg)减小,紫外-可见光谱的吸收峰和荧光光谱的发射峰均发生红移.
用紫外吸收光譜、熒光髮射光譜、循環伏安法(CV)、微分脈遲伏安法(DPV)等手段研究瞭4箇4-N,N-二苯胺基均二苯乙烯類化閤物的光電性能,計算齣它們的電離勢(PI)在5.70～5.90 eV,帶隙值(Eg)在2.78～2.88 eV,分析瞭電化學行為,討論瞭取代基對吸收光譜、髮射光譜和電子結構的影響.結果錶明,引入供電子基糰OCH3後,分子氧化電位降低,HOMO能量升高,電離勢降低;引入吸電子基糰-Cl後,氧化電位升高,LUMO能量降低,電子親和勢增加.取代基-C1和-OCH3都使化閤物的帶隙(Eg)減小,紫外-可見光譜的吸收峰和熒光光譜的髮射峰均髮生紅移.
용자외흡수광보、형광발사광보、순배복안법(CV)、미분맥충복안법(DPV)등수단연구료4개4-N,N-이분알기균이분을희류화합물적광전성능,계산출타문적전리세(PI)재5.70～5.90 eV,대극치(Eg)재2.78～2.88 eV,분석료전화학행위,토론료취대기대흡수광보、발사광보화전자결구적영향.결과표명,인입공전자기단OCH3후,분자양화전위강저,HOMO능량승고,전리세강저;인입흡전자기단-Cl후,양화전위승고,LUMO능량강저,전자친화세증가.취대기-C1화-OCH3도사화합물적대극(Eg)감소,자외-가견광보적흡수봉화형광광보적발사봉균발생홍이.
