固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2007年
3期
380-385
,共6页
龙善丽%殷勤%吴建辉%王沛
龍善麗%慇勤%吳建輝%王沛
룡선려%은근%오건휘%왕패
嵌入式系统%触摸屏%逐次逼近%比较器%有效精度
嵌入式繫統%觸摸屏%逐次逼近%比較器%有效精度
감입식계통%촉모병%축차핍근%비교기%유효정도
设计了一个基于SOC系统的触摸屏逐次逼近型结构的10 bit 2Msps模数转换器(ADC).高精度比较器和Bootstrap开关应用于设计电路中,提高了芯片速度和降低了功耗.芯片采用SMIC0.18 μm 1P6M CMOS工艺流片,版图面积为0.25 mm2,2 MHz工作时平均功耗为3.1 mW.输入频率320 kHz时,信噪比(SNR)为56 dB,ENOB为9.05 bit,无杂散动态范围(SFDR)为66.56 dB,微分非线性(DNL)为0.8LSB,积分非线性(INL)为1.4LSB.
設計瞭一箇基于SOC繫統的觸摸屏逐次逼近型結構的10 bit 2Msps模數轉換器(ADC).高精度比較器和Bootstrap開關應用于設計電路中,提高瞭芯片速度和降低瞭功耗.芯片採用SMIC0.18 μm 1P6M CMOS工藝流片,版圖麵積為0.25 mm2,2 MHz工作時平均功耗為3.1 mW.輸入頻率320 kHz時,信譟比(SNR)為56 dB,ENOB為9.05 bit,無雜散動態範圍(SFDR)為66.56 dB,微分非線性(DNL)為0.8LSB,積分非線性(INL)為1.4LSB.
설계료일개기우SOC계통적촉모병축차핍근형결구적10 bit 2Msps모수전환기(ADC).고정도비교기화Bootstrap개관응용우설계전로중,제고료심편속도화강저료공모.심편채용SMIC0.18 μm 1P6M CMOS공예류편,판도면적위0.25 mm2,2 MHz공작시평균공모위3.1 mW.수입빈솔320 kHz시,신조비(SNR)위56 dB,ENOB위9.05 bit,무잡산동태범위(SFDR)위66.56 dB,미분비선성(DNL)위0.8LSB,적분비선성(INL)위1.4LSB.
