微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2007年
9期
857-862
,共6页
王建波%李玉国%张秋霞%夏继周%张月甫%崔传文%张敬尧
王建波%李玉國%張鞦霞%夏繼週%張月甫%崔傳文%張敬堯
왕건파%리옥국%장추하%하계주%장월보%최전문%장경요
半导体技术%P型掺杂%综述%ZnO薄膜%发光器件
半導體技術%P型摻雜%綜述%ZnO薄膜%髮光器件
반도체기술%P형참잡%종술%ZnO박막%발광기건
六角纤锌矿结构ZnO是一种应用广泛的直接宽带隙(3.36 eV,300K)半导体材料,其优异的光电、压电等性能使其成为近10年来全世界半导体研究的热点.综述了自1997年以来ZnO的P型掺杂以及ZnO基发光器件方面的研究成果.比较了不同方法制备的P型ZnO材料和发光器件的性能差异,分析了造成各种差异的原因,并针对当前研究提出了一些建议和预测.
六角纖鋅礦結構ZnO是一種應用廣汎的直接寬帶隙(3.36 eV,300K)半導體材料,其優異的光電、壓電等性能使其成為近10年來全世界半導體研究的熱點.綜述瞭自1997年以來ZnO的P型摻雜以及ZnO基髮光器件方麵的研究成果.比較瞭不同方法製備的P型ZnO材料和髮光器件的性能差異,分析瞭造成各種差異的原因,併針對噹前研究提齣瞭一些建議和預測.
륙각섬자광결구ZnO시일충응용엄범적직접관대극(3.36 eV,300K)반도체재료,기우이적광전、압전등성능사기성위근10년래전세계반도체연구적열점.종술료자1997년이래ZnO적P형참잡이급ZnO기발광기건방면적연구성과.비교료불동방법제비적P형ZnO재료화발광기건적성능차이,분석료조성각충차이적원인,병침대당전연구제출료일사건의화예측.
