半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
4期
780-784
,共5页
程嘉%朱煜%段广洪%王春洪
程嘉%硃煜%段廣洪%王春洪
정가%주욱%단엄홍%왕춘홍
感应耦合等离子体%回归正交设计%cFD-ACE+%工艺腔室
感應耦閤等離子體%迴歸正交設計%cFD-ACE+%工藝腔室
감응우합등리자체%회귀정교설계%cFD-ACE+%공예강실
为研究感应耦合等离子体(IcP)刻蚀机工艺腔室结构对流场特性的影响,采用回归正交设计方法对腔室半径、腔室高度、进气口半径以及进气流量4个设计参数进行试验设计,利用商业软件CFD-AcE+建立IcP刻蚀机工艺腔室二维流场仿真模型.定义了静电卡盘上方气压分布均匀性评价函数,通过对试验结果的回归分析,确定了关键参数对气压分布均匀性影响程度的定量关系,并由此建立了拟合度较高的二次回归方程.结果表明腔室高度为最显著影响因素.经过验证可见,回归方程的计算结果与仿真分析结果保持了较高的一致性,可以为结构与工艺条件相近的刻蚀机、化学气相沉积(CVD)设备以及氧化/扩散系统的结构研究与设计提供参考.
為研究感應耦閤等離子體(IcP)刻蝕機工藝腔室結構對流場特性的影響,採用迴歸正交設計方法對腔室半徑、腔室高度、進氣口半徑以及進氣流量4箇設計參數進行試驗設計,利用商業軟件CFD-AcE+建立IcP刻蝕機工藝腔室二維流場倣真模型.定義瞭靜電卡盤上方氣壓分佈均勻性評價函數,通過對試驗結果的迴歸分析,確定瞭關鍵參數對氣壓分佈均勻性影響程度的定量關繫,併由此建立瞭擬閤度較高的二次迴歸方程.結果錶明腔室高度為最顯著影響因素.經過驗證可見,迴歸方程的計算結果與倣真分析結果保持瞭較高的一緻性,可以為結構與工藝條件相近的刻蝕機、化學氣相沉積(CVD)設備以及氧化/擴散繫統的結構研究與設計提供參攷.
위연구감응우합등리자체(IcP)각식궤공예강실결구대류장특성적영향,채용회귀정교설계방법대강실반경、강실고도、진기구반경이급진기류량4개설계삼수진행시험설계,이용상업연건CFD-AcE+건립IcP각식궤공예강실이유류장방진모형.정의료정전잡반상방기압분포균균성평개함수,통과대시험결과적회귀분석,학정료관건삼수대기압분포균균성영향정도적정량관계,병유차건립료의합도교고적이차회귀방정.결과표명강실고도위최현저영향인소.경과험증가견,회귀방정적계산결과여방진분석결과보지료교고적일치성,가이위결구여공예조건상근적각식궤、화학기상침적(CVD)설비이급양화/확산계통적결구연구여설계제공삼고.
