电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2009年
4期
51-54
,共4页
ZnO薄膜%PLD%氧分压%发光峰
ZnO薄膜%PLD%氧分壓%髮光峰
ZnO박막%PLD%양분압%발광봉
在不同氧分压下用脉冲激光沉积(PLD)法在n型硅(111)衬底上生长ZnO 薄膜.通过对其进行XRD、傅里叶红外吸收(FTIR)和光致发光谱(PL)的测量,研究了氧分压对PLD法制备的ZnO薄膜的结晶质量和发光性质的影响.XRD显示,氧分压为6.50 Pa时可以得到结晶质量最佳的ZnO薄膜.PL谱显示,当氧分压由0.13 Pa上升至6.50 Pa时,位于380 nm附近的主发光峰的强度最大.当氧分压进一步上升至13.00 Pa时,主发光峰减弱,与氧空位有关的发光峰消失,显示出ZnO薄膜的PL谱和氧分压的大小密切相关.
在不同氧分壓下用脈遲激光沉積(PLD)法在n型硅(111)襯底上生長ZnO 薄膜.通過對其進行XRD、傅裏葉紅外吸收(FTIR)和光緻髮光譜(PL)的測量,研究瞭氧分壓對PLD法製備的ZnO薄膜的結晶質量和髮光性質的影響.XRD顯示,氧分壓為6.50 Pa時可以得到結晶質量最佳的ZnO薄膜.PL譜顯示,噹氧分壓由0.13 Pa上升至6.50 Pa時,位于380 nm附近的主髮光峰的彊度最大.噹氧分壓進一步上升至13.00 Pa時,主髮光峰減弱,與氧空位有關的髮光峰消失,顯示齣ZnO薄膜的PL譜和氧分壓的大小密切相關.
재불동양분압하용맥충격광침적(PLD)법재n형규(111)츤저상생장ZnO 박막.통과대기진행XRD、부리협홍외흡수(FTIR)화광치발광보(PL)적측량,연구료양분압대PLD법제비적ZnO박막적결정질량화발광성질적영향.XRD현시,양분압위6.50 Pa시가이득도결정질량최가적ZnO박막.PL보현시,당양분압유0.13 Pa상승지6.50 Pa시,위우380 nm부근적주발광봉적강도최대.당양분압진일보상승지13.00 Pa시,주발광봉감약,여양공위유관적발광봉소실,현시출ZnO박막적PL보화양분압적대소밀절상관.
