半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
10期
968-973
,共6页
陈蕾%宋李梅%刘梦新%杜寰
陳蕾%宋李梅%劉夢新%杜寰
진뢰%송리매%류몽신%두환
横向双扩散场效应晶体管%静电放电防护%深漏极注入%击穿现象
橫嚮雙擴散場效應晶體管%靜電放電防護%深漏極註入%擊穿現象
횡향쌍확산장효응정체관%정전방전방호%심루겁주입%격천현상
探讨了LDMOS器件在静电放电脉冲作用下的失效现象和机理,阐述了LDMOS器件受到静电放电脉冲冲击后出现的软击穿现象,和由于寄生npn管导通产生的大电流引起器件局部温度过高,导致金属接触孔熔融的器件二次击穿现象.分析对比了不同栅宽、不同LOCOS长度和埋层结构LDMOS器件的静电放电防护性能.证实了带埋层的深漏极注入双RESURF结构LDMOS器件在静电放电防护方面的显著优势.
探討瞭LDMOS器件在靜電放電脈遲作用下的失效現象和機理,闡述瞭LDMOS器件受到靜電放電脈遲遲擊後齣現的軟擊穿現象,和由于寄生npn管導通產生的大電流引起器件跼部溫度過高,導緻金屬接觸孔鎔融的器件二次擊穿現象.分析對比瞭不同柵寬、不同LOCOS長度和埋層結構LDMOS器件的靜電放電防護性能.證實瞭帶埋層的深漏極註入雙RESURF結構LDMOS器件在靜電放電防護方麵的顯著優勢.
탐토료LDMOS기건재정전방전맥충작용하적실효현상화궤리,천술료LDMOS기건수도정전방전맥충충격후출현적연격천현상,화유우기생npn관도통산생적대전류인기기건국부온도과고,도치금속접촉공용융적기건이차격천현상.분석대비료불동책관、불동LOCOS장도화매층결구LDMOS기건적정전방전방호성능.증실료대매층적심루겁주입쌍RESURF결구LDMOS기건재정전방전방호방면적현저우세.
