电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2010年
8期
1-4,13
,共5页
铜线%引线键合%键合质量%工艺管控
銅線%引線鍵閤%鍵閤質量%工藝管控
동선%인선건합%건합질량%공예관공
文章介绍了半导体封装行业中铜线键合工艺下,各材料及工艺参数(如框架、劈刀、设备参数、芯片铝层与铜材的匹配选择)对键合质量的影响,并总结提出如何更好地使用铜线这一新材料的规范要求.应用表明芯片铝层厚度应选择在0.025mm以上;劈刀应使用表面较粗糙的;铜线在键合工艺中使用体积比为95:5的氢、氮气混合保护气体;引线框架镀银层厚度应控制在0.03 mm～0.06mm.
文章介紹瞭半導體封裝行業中銅線鍵閤工藝下,各材料及工藝參數(如框架、劈刀、設備參數、芯片鋁層與銅材的匹配選擇)對鍵閤質量的影響,併總結提齣如何更好地使用銅線這一新材料的規範要求.應用錶明芯片鋁層厚度應選擇在0.025mm以上;劈刀應使用錶麵較粗糙的;銅線在鍵閤工藝中使用體積比為95:5的氫、氮氣混閤保護氣體;引線框架鍍銀層厚度應控製在0.03 mm～0.06mm.
문장개소료반도체봉장행업중동선건합공예하,각재료급공예삼수(여광가、벽도、설비삼수、심편려층여동재적필배선택)대건합질량적영향,병총결제출여하경호지사용동선저일신재료적규범요구.응용표명심편려층후도응선택재0.025mm이상;벽도응사용표면교조조적;동선재건합공예중사용체적비위95:5적경、담기혼합보호기체;인선광가도은층후도응공제재0.03 mm～0.06mm.
