真空
真空
진공
VACUUM
2010年
5期
72-75
,共4页
潜力%王昱权%刘亮%范守善
潛力%王昱權%劉亮%範守善
잠력%왕욱권%류량%범수선
碳纳米管%场致发射%碳化铪%原子力显微镜
碳納米管%場緻髮射%碳化鉿%原子力顯微鏡
탄납미관%장치발사%탄화협%원자력현미경
采用双向电泳法,在原子力显微镜探针尖端组装了单根碳纳米管,在真空环境下对比测量了单根碳纳米管蒸镀低逸出功材料HfC前后场致发射电流曲线和电流噪声的特点.证明了HfC蒸镀在碳纳米管上能够显著降低发射体的逸出功,减少电流噪声,并且观察到单根碳纳米管蒸镀了HfC后7μA左右的稳定电流发射.通过分析电流噪声,认为碳纳米管场致发射噪声主要来自吸附气体的频繁吸附和脱附.在低电流下,空间电离的离子轰击发射体表面,对吸附状态的影响占主导地位.当单根碳纳米管的场敏发射电流超过1μA量级以后,碳纳水管表面温度快速升高,温度对气体吸附的影响占主导地位,吸附的气体分子逐渐脱附后,电流噪声开始降低.
採用雙嚮電泳法,在原子力顯微鏡探針尖耑組裝瞭單根碳納米管,在真空環境下對比測量瞭單根碳納米管蒸鍍低逸齣功材料HfC前後場緻髮射電流麯線和電流譟聲的特點.證明瞭HfC蒸鍍在碳納米管上能夠顯著降低髮射體的逸齣功,減少電流譟聲,併且觀察到單根碳納米管蒸鍍瞭HfC後7μA左右的穩定電流髮射.通過分析電流譟聲,認為碳納米管場緻髮射譟聲主要來自吸附氣體的頻繁吸附和脫附.在低電流下,空間電離的離子轟擊髮射體錶麵,對吸附狀態的影響佔主導地位.噹單根碳納米管的場敏髮射電流超過1μA量級以後,碳納水管錶麵溫度快速升高,溫度對氣體吸附的影響佔主導地位,吸附的氣體分子逐漸脫附後,電流譟聲開始降低.
채용쌍향전영법,재원자력현미경탐침첨단조장료단근탄납미관,재진공배경하대비측량료단근탄납미관증도저일출공재료HfC전후장치발사전류곡선화전류조성적특점.증명료HfC증도재탄납미관상능구현저강저발사체적일출공,감소전류조성,병차관찰도단근탄납미관증도료HfC후7μA좌우적은정전류발사.통과분석전류조성,인위탄납미관장치발사조성주요래자흡부기체적빈번흡부화탈부.재저전류하,공간전리적리자굉격발사체표면,대흡부상태적영향점주도지위.당단근탄납미관적장민발사전류초과1μA량급이후,탄납수관표면온도쾌속승고,온도대기체흡부적영향점주도지위,흡부적기체분자축점탈부후,전류조성개시강저.
