微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2012年
4期
233-236,241
,共5页
罗强%唐斌%张智%张强%施太和%冉曾令
囉彊%唐斌%張智%張彊%施太和%冉曾令
라강%당빈%장지%장강%시태화%염증령
第一性原理%Fe (100)表面%分波态密度(PDOS)%吸附能%掺杂
第一性原理%Fe (100)錶麵%分波態密度(PDOS)%吸附能%摻雜
제일성원리%Fe (100)표면%분파태밀도(PDOS)%흡부능%참잡
基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,在广义梯度近似下计算了Fe中掺Cr或Ni时S原子在Fe (100)面吸附的结构和电子性质,并计算了其分子轨道和吸附能.结果表明:S原子均是吸附在H位最稳定;纯铁时S在Fe (100)面H位的吸附能为- 7.70 eV,掺Ni时S原子在H位的吸附能为- 7.35 eV,吸附能的相对变化为4.5％;掺Cr时S原子在H位的吸附能为- 5.79 eV,吸附能相对纯铁时变化为24.8％,表明掺Cr对S原子在Fe表面的吸附抑制作用更大.对比分析了每种吸附情况下的分波态密度,结果发现掺Cr时具有较高的局域电子云重叠,从而产生的排斥作用抑制了S原子的吸附.
基于密度汎函理論(DFT)的第一性原理方法,在廣義梯度近似下計算瞭Fe中摻Cr或Ni時S原子在Fe (100)麵吸附的結構和電子性質,併計算瞭其分子軌道和吸附能.結果錶明:S原子均是吸附在H位最穩定;純鐵時S在Fe (100)麵H位的吸附能為- 7.70 eV,摻Ni時S原子在H位的吸附能為- 7.35 eV,吸附能的相對變化為4.5％;摻Cr時S原子在H位的吸附能為- 5.79 eV,吸附能相對純鐵時變化為24.8％,錶明摻Cr對S原子在Fe錶麵的吸附抑製作用更大.對比分析瞭每種吸附情況下的分波態密度,結果髮現摻Cr時具有較高的跼域電子雲重疊,從而產生的排斥作用抑製瞭S原子的吸附.
기우밀도범함이론(DFT)적제일성원리방법,재엄의제도근사하계산료Fe중참Cr혹Ni시S원자재Fe (100)면흡부적결구화전자성질,병계산료기분자궤도화흡부능.결과표명:S원자균시흡부재H위최은정;순철시S재Fe (100)면H위적흡부능위- 7.70 eV,참Ni시S원자재H위적흡부능위- 7.35 eV,흡부능적상대변화위4.5％;참Cr시S원자재H위적흡부능위- 5.79 eV,흡부능상대순철시변화위24.8％,표명참Cr대S원자재Fe표면적흡부억제작용경대.대비분석료매충흡부정황하적분파태밀도,결과발현참Cr시구유교고적국역전자운중첩,종이산생적배척작용억제료S원자적흡부.
