硅酸盐学报
硅痠鹽學報
규산염학보
JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY
2005年
1期
26-31
,共6页
邱继军%靳正国%石勇%武卫兵%程志捷
邱繼軍%靳正國%石勇%武衛兵%程誌捷
구계군%근정국%석용%무위병%정지첩
铜铟硫薄膜%浸渍离子层气相反应%半导体
銅銦硫薄膜%浸漬離子層氣相反應%半導體
동인류박막%침지리자층기상반응%반도체
以CH3CN为溶剂,CuCl2和InCl3为反应物,H2S为硫源,用浸渍离子层气相反应法制备CuInS2薄膜.研究混合前驱体溶液中Cu2+与In3+的离子浓度比[Cu2+]/[In3+]对薄膜晶体结构、化学组成、表面形貌、光学和电学性能的影响.当溶液中[Cu2+][In3+]在0.75～2.00范围内均可形成无杂质相、富S型立方闪锌矿结构的CuInS2薄膜.当[Cu2+]/[In3+]=1. 50时,CuInS2薄膜接近其理想的化学计量组成,薄膜表面均匀性随着[Cu2+]/[In3+]的增加而降低.CuInS2薄膜的光吸收系数α均高于104 cm-1,其禁带宽度E.在1. 30～1. 40 eV之间.制备的p型CuInS2半导体薄膜在室温下其表面暗电阻p随[Cu2+]/[In3+]的增加而有明显的降低趋势.
以CH3CN為溶劑,CuCl2和InCl3為反應物,H2S為硫源,用浸漬離子層氣相反應法製備CuInS2薄膜.研究混閤前驅體溶液中Cu2+與In3+的離子濃度比[Cu2+]/[In3+]對薄膜晶體結構、化學組成、錶麵形貌、光學和電學性能的影響.噹溶液中[Cu2+][In3+]在0.75～2.00範圍內均可形成無雜質相、富S型立方閃鋅礦結構的CuInS2薄膜.噹[Cu2+]/[In3+]=1. 50時,CuInS2薄膜接近其理想的化學計量組成,薄膜錶麵均勻性隨著[Cu2+]/[In3+]的增加而降低.CuInS2薄膜的光吸收繫數α均高于104 cm-1,其禁帶寬度E.在1. 30～1. 40 eV之間.製備的p型CuInS2半導體薄膜在室溫下其錶麵暗電阻p隨[Cu2+]/[In3+]的增加而有明顯的降低趨勢.
이CH3CN위용제,CuCl2화InCl3위반응물,H2S위류원,용침지리자층기상반응법제비CuInS2박막.연구혼합전구체용액중Cu2+여In3+적리자농도비[Cu2+]/[In3+]대박막정체결구、화학조성、표면형모、광학화전학성능적영향.당용액중[Cu2+][In3+]재0.75～2.00범위내균가형성무잡질상、부S형립방섬자광결구적CuInS2박막.당[Cu2+]/[In3+]=1. 50시,CuInS2박막접근기이상적화학계량조성,박막표면균균성수착[Cu2+]/[In3+]적증가이강저.CuInS2박막적광흡수계수α균고우104 cm-1,기금대관도E.재1. 30～1. 40 eV지간.제비적p형CuInS2반도체박막재실온하기표면암전조p수[Cu2+]/[In3+]적증가이유명현적강저추세.
