功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2007年
2期
145-149
,共5页
刘奇斌%宋志棠%吴良才%封松林
劉奇斌%宋誌棠%吳良纔%封鬆林
류기빈%송지당%오량재%봉송림
Ge纳米晶%高k介质%C-V曲线
Ge納米晶%高k介質%C-V麯線
Ge납미정%고k개질%C-V곡선
Ge纳米晶嵌入高k介质中既可以提高器件的可靠性又可以降低写入电压和提高存储速度.本实验主要研究了用于非挥发存储器的含有Ge纳米晶MIS结构的电荷存储特性.MIS结构由电子束蒸发的方法制备,包括Al2O3控制栅,Al2O3中Ge纳米晶和Al2O3隧道氧化层.这种MIS结构在1MHz下的C-V特性表现出良好的电学性能,平带电压漂移为0.96V,电荷存储密度达到4.17×1012cm-2.不同频率下Ge纳米晶在Al2O3介质中电荷存储特性随着频率的增加,平带电压的漂移和存储的电荷数减小.随着扫描速率的增加,平带电压的漂移和存储电荷也减小.
Ge納米晶嵌入高k介質中既可以提高器件的可靠性又可以降低寫入電壓和提高存儲速度.本實驗主要研究瞭用于非揮髮存儲器的含有Ge納米晶MIS結構的電荷存儲特性.MIS結構由電子束蒸髮的方法製備,包括Al2O3控製柵,Al2O3中Ge納米晶和Al2O3隧道氧化層.這種MIS結構在1MHz下的C-V特性錶現齣良好的電學性能,平帶電壓漂移為0.96V,電荷存儲密度達到4.17×1012cm-2.不同頻率下Ge納米晶在Al2O3介質中電荷存儲特性隨著頻率的增加,平帶電壓的漂移和存儲的電荷數減小.隨著掃描速率的增加,平帶電壓的漂移和存儲電荷也減小.
Ge납미정감입고k개질중기가이제고기건적가고성우가이강저사입전압화제고존저속도.본실험주요연구료용우비휘발존저기적함유Ge납미정MIS결구적전하존저특성.MIS결구유전자속증발적방법제비,포괄Al2O3공제책,Al2O3중Ge납미정화Al2O3수도양화층.저충MIS결구재1MHz하적C-V특성표현출량호적전학성능,평대전압표이위0.96V,전하존저밀도체도4.17×1012cm-2.불동빈솔하Ge납미정재Al2O3개질중전하존저특성수착빈솔적증가,평대전압적표이화존저적전하수감소.수착소묘속솔적증가,평대전압적표이화존저전하야감소.
