半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
4期
316-319
,共4页
王俊%董业民%邹欣%邵丽%李文军%杨华岳
王俊%董業民%鄒訢%邵麗%李文軍%楊華嶽
왕준%동업민%추흔%소려%리문군%양화악
高压器件%衬底电流%优化工艺
高壓器件%襯底電流%優化工藝
고압기건%츤저전류%우화공예
利用0.15 μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30 V的双扩散漏端MOS晶体管.观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线有两个峰.实验表明,DDDMOS衬底电流的第二个峰对器件的可靠性有一定的影响.利用TCAD模拟解释了DDDMOS第二个衬底电流峰的形成机制,并通过求解泊松方程和电流连续性方程分析了器件的物理和几何参数与第二个衬底电流峰之间的关系.根据分析的结果优化了制造工艺,降低了DDDMOS的衬底电流,提高了器件的可靠性.
利用0.15 μm標準CMOS工藝製造齣瞭工作電壓為30 V的雙擴散漏耑MOS晶體管.觀察到DDDMOS的襯底電流-柵壓麯線有兩箇峰.實驗錶明,DDDMOS襯底電流的第二箇峰對器件的可靠性有一定的影響.利用TCAD模擬解釋瞭DDDMOS第二箇襯底電流峰的形成機製,併通過求解泊鬆方程和電流連續性方程分析瞭器件的物理和幾何參數與第二箇襯底電流峰之間的關繫.根據分析的結果優化瞭製造工藝,降低瞭DDDMOS的襯底電流,提高瞭器件的可靠性.
이용0.15 μm표준CMOS공예제조출료공작전압위30 V적쌍확산루단MOS정체관.관찰도DDDMOS적츤저전류-책압곡선유량개봉.실험표명,DDDMOS츤저전류적제이개봉대기건적가고성유일정적영향.이용TCAD모의해석료DDDMOS제이개츤저전류봉적형성궤제,병통과구해박송방정화전류련속성방정분석료기건적물리화궤하삼수여제이개츤저전류봉지간적관계.근거분석적결과우화료제조공예,강저료DDDMOS적츤저전류,제고료기건적가고성.
