电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2008年
3期
894-897
,共4页
频率综合器%预分频电路%源极耦合逻辑%D触发器%低功耗
頻率綜閤器%預分頻電路%源極耦閤邏輯%D觸髮器%低功耗
빈솔종합기%예분빈전로%원겁우합라집%D촉발기%저공모
描述了一个应用于高集成度2 GHz频率综合器的预分频电路的设计,预分频电路中D触发器采用了源极耦合逻辑电路结构,可以提高电路工作频率,同时有效减小开关噪声和电路功耗.预分频电路采用TSMC 0.25 μm IPSM CMOS工艺实现,Spectre仿真表明,在1.8 V的电源电压下,经过优化的预分频电路能够在各种工艺条件和温度下正常工作,整体功耗为6.2 mw(单个D触发器功耗仅为1.8 mW),满足手持设备的要求.
描述瞭一箇應用于高集成度2 GHz頻率綜閤器的預分頻電路的設計,預分頻電路中D觸髮器採用瞭源極耦閤邏輯電路結構,可以提高電路工作頻率,同時有效減小開關譟聲和電路功耗.預分頻電路採用TSMC 0.25 μm IPSM CMOS工藝實現,Spectre倣真錶明,在1.8 V的電源電壓下,經過優化的預分頻電路能夠在各種工藝條件和溫度下正常工作,整體功耗為6.2 mw(單箇D觸髮器功耗僅為1.8 mW),滿足手持設備的要求.
묘술료일개응용우고집성도2 GHz빈솔종합기적예분빈전로적설계,예분빈전로중D촉발기채용료원겁우합라집전로결구,가이제고전로공작빈솔,동시유효감소개관조성화전로공모.예분빈전로채용TSMC 0.25 μm IPSM CMOS공예실현,Spectre방진표명,재1.8 V적전원전압하,경과우화적예분빈전로능구재각충공예조건화온도하정상공작,정체공모위6.2 mw(단개D촉발기공모부위1.8 mW),만족수지설비적요구.
