微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
3期
420-425,431
,共7页
钟大伟%郭宇锋%花婷婷%黄峻%魏雪观%袁丰%周洪敏
鐘大偉%郭宇鋒%花婷婷%黃峻%魏雪觀%袁豐%週洪敏
종대위%곽우봉%화정정%황준%위설관%원봉%주홍민
场板%表面电场降低%绝缘体上硅%解析模型
場闆%錶麵電場降低%絕緣體上硅%解析模型
장판%표면전장강저%절연체상규%해석모형
以往对SOI器件的建模基本上基于漂移区全耗尽的假设,且大多未考虑场板对表面势场分布的影响.通过分区求解二维泊松方程,建立了场板SOI RESURF LDMOS表面电势和表面电场分布解析模型.该模型同时考虑了栅场板和漏场板的作用,既适用于漂移区全耗尽的情况,也适用于漂移区不全耗尽的情况.利用此模型和半导体器件仿真工具Silvaco,详细探讨了器件在不同偏压下栅场板和漏场板对漂移区表面电势和电场分布的影响.解析模型结果与数值仿真结果吻合良好,验证了模型的准确性.
以往對SOI器件的建模基本上基于漂移區全耗儘的假設,且大多未攷慮場闆對錶麵勢場分佈的影響.通過分區求解二維泊鬆方程,建立瞭場闆SOI RESURF LDMOS錶麵電勢和錶麵電場分佈解析模型.該模型同時攷慮瞭柵場闆和漏場闆的作用,既適用于漂移區全耗儘的情況,也適用于漂移區不全耗儘的情況.利用此模型和半導體器件倣真工具Silvaco,詳細探討瞭器件在不同偏壓下柵場闆和漏場闆對漂移區錶麵電勢和電場分佈的影響.解析模型結果與數值倣真結果吻閤良好,驗證瞭模型的準確性.
이왕대SOI기건적건모기본상기우표이구전모진적가설,차대다미고필장판대표면세장분포적영향.통과분구구해이유박송방정,건립료장판SOI RESURF LDMOS표면전세화표면전장분포해석모형.해모형동시고필료책장판화루장판적작용,기괄용우표이구전모진적정황,야괄용우표이구불전모진적정황.이용차모형화반도체기건방진공구Silvaco,상세탐토료기건재불동편압하책장판화루장판대표이구표면전세화전장분포적영향.해석모형결과여수치방진결과문합량호,험증료모형적준학성.
