微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2009年
2期
194-198
,共5页
CRAM%存储元%热场分析%双层GST%热兼容
CRAM%存儲元%熱場分析%雙層GST%熱兼容
CRAM%존저원%열장분석%쌍층GST%열겸용
基于热场分析,在CRAM存储元传统结构的加热层和底电极之间插入一层存储介质GST,设计出含双层GST的CRAM存储元结构.在模拟存储元热场分布过程中引入热辐射边界条件,使模拟结果更接近实际.根据设计要求,将双层GST新型结构与传统结构的热场进行比较,结果表明,含双层GST的新型结构一方面实现了存储元与CMOS晶体管的热兼容,增强了器件的稳定性;另一方面,将reset电流减小到0.5 mA,降低了器件功耗.
基于熱場分析,在CRAM存儲元傳統結構的加熱層和底電極之間插入一層存儲介質GST,設計齣含雙層GST的CRAM存儲元結構.在模擬存儲元熱場分佈過程中引入熱輻射邊界條件,使模擬結果更接近實際.根據設計要求,將雙層GST新型結構與傳統結構的熱場進行比較,結果錶明,含雙層GST的新型結構一方麵實現瞭存儲元與CMOS晶體管的熱兼容,增彊瞭器件的穩定性;另一方麵,將reset電流減小到0.5 mA,降低瞭器件功耗.
기우열장분석,재CRAM존저원전통결구적가열층화저전겁지간삽입일층존저개질GST,설계출함쌍층GST적CRAM존저원결구.재모의존저원열장분포과정중인입열복사변계조건,사모의결과경접근실제.근거설계요구,장쌍층GST신형결구여전통결구적열장진행비교,결과표명,함쌍층GST적신형결구일방면실현료존저원여CMOS정체관적열겸용,증강료기건적은정성;령일방면,장reset전류감소도0.5 mA,강저료기건공모.
