微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2006年
4期
403-406
,共4页
A/D转换电路%流水线结构%千兆以太网
A/D轉換電路%流水線結構%韆兆以太網
A/D전환전로%류수선결구%천조이태망
介绍了一种用于千兆以太网卡芯片的8位125 MS/s CMOS流水线A/D转换电路的设计,包括体系结构设计、电路设计与仿真、版图设计.该A/D转换电路经过TSMC 0.13 μm 1P8M CMOS工艺验证,工作电压为1.5 V/2.7 V.芯片测试结果表明,设计的A/D转换电路能够满足千兆以太网卡芯片的性能要求.
介紹瞭一種用于韆兆以太網卡芯片的8位125 MS/s CMOS流水線A/D轉換電路的設計,包括體繫結構設計、電路設計與倣真、版圖設計.該A/D轉換電路經過TSMC 0.13 μm 1P8M CMOS工藝驗證,工作電壓為1.5 V/2.7 V.芯片測試結果錶明,設計的A/D轉換電路能夠滿足韆兆以太網卡芯片的性能要求.
개소료일충용우천조이태망잡심편적8위125 MS/s CMOS류수선A/D전환전로적설계,포괄체계결구설계、전로설계여방진、판도설계.해A/D전환전로경과TSMC 0.13 μm 1P8M CMOS공예험증,공작전압위1.5 V/2.7 V.심편측시결과표명,설계적A/D전환전로능구만족천조이태망잡심편적성능요구.
