核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2007年
2期
219-222
,共4页
郑莉芳%纪全%王立%吴平%李勋锋%刘璇
鄭莉芳%紀全%王立%吳平%李勛鋒%劉璇
정리방%기전%왕립%오평%리훈봉%류선
BESⅢ%G10玻璃布/环氧层压板%γ中子%辐照%剪切
BESⅢ%G10玻璃佈/環氧層壓闆%γ中子%輻照%剪切
BESⅢ%G10파리포/배양층압판%γ중자%복조%전절
BESⅢ中束流管(BMP)支撑法兰的备选材料G10玻璃布/环氧层压板经104 Gy的γ辐照和4.068×1018 m -2的中子辐照后,对其断纹剪切性能的变化进行了研究,并利用扫描电镜(SEM)对断口形貌进行分析.结果表明,经γ辐照和中子辐照后,G10玻璃布/环氧层压板的断纹剪切强度有所降低,但仍能满足BEPCⅡ的工程应用要求.
BESⅢ中束流管(BMP)支撐法蘭的備選材料G10玻璃佈/環氧層壓闆經104 Gy的γ輻照和4.068×1018 m -2的中子輻照後,對其斷紋剪切性能的變化進行瞭研究,併利用掃描電鏡(SEM)對斷口形貌進行分析.結果錶明,經γ輻照和中子輻照後,G10玻璃佈/環氧層壓闆的斷紋剪切彊度有所降低,但仍能滿足BEPCⅡ的工程應用要求.
BESⅢ중속류관(BMP)지탱법란적비선재료G10파리포/배양층압판경104 Gy적γ복조화4.068×1018 m -2적중자복조후,대기단문전절성능적변화진행료연구,병이용소묘전경(SEM)대단구형모진행분석.결과표명,경γ복조화중자복조후,G10파리포/배양층압판적단문전절강도유소강저,단잉능만족BEPCⅡ적공정응용요구.
