双沟道实空间转移晶体管(RSTT)的研制
쌍구도실공간전이정체관(RSTT)적연제
The Device Fabrication of Dual Channel Real Space Transfer Transistor
  • 万方数据
    固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
    RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
    2008年 3期 346-350 ,共5页

    于欣%牛萍娟%郭维廉%杨广华%高铁成%刘宏伟%王小丽%张世林%梁惠来%齐海涛%毛陆虹

    우흔%우평연%곽유렴%양엄화%고철성%류굉위%왕소려%장세림%량혜래%제해도%모륙홍

    实空间转移晶体管%湿法腐蚀%磁控溅射%欧姆接触%合金%负阻%电子转移 實空間轉移晶體管%濕法腐蝕%磁控濺射%歐姆接觸%閤金%負阻%電子轉移
    실공간전이정체관%습법부식%자공천사%구모접촉%합금%부조%전자전이
    报道了在GaAs衬底上,采用8掺杂GaAs/InGaAs双沟道结构.成功地研制出双沟道实空间转移晶体管(RSTT),它具有RSTT典型的"Λ"型负阻,I-V特性和较宽的平坦谷值区.具体讨论了湿法腐蚀进行隔离台面,磁控溅射制作电极,快速热退火制作源漏低阻的欧姆接触等工艺步骤.器件的主要负阻参数PVCR可达10,对所研制的RSTT的负阻机制进行了初步探讨.
    보도료재GaAs츤저상,채용8참잡GaAs/InGaAs쌍구도결구.성공지연제출쌍구도실공간전이정체관(RSTT),타구유RSTT전형적"Λ"형부조,I-V특성화교관적평탄곡치구.구체토론료습법부식진행격리태면,자공천사제작전겁,쾌속열퇴화제작원루저조적구모접촉등공예보취.기건적주요부조삼수PVCR가체10,대소연제적RSTT적부조궤제진행료초보탐토.
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