人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2010年
4期
961-965
,共5页
夏中高%王茺%鲁植全%李亮%杨宇
夏中高%王茺%魯植全%李亮%楊宇
하중고%왕충%로식전%리량%양우
磁控溅射%Ge纳米点%SiO2薄膜
磁控濺射%Ge納米點%SiO2薄膜
자공천사%Ge납미점%SiO2박막
采用磁控溅射技术在SiO2/Si(100)表面上制备了一系列不同生长温度的Ge纳米点样品.原子力显微镜(AFM)的实验结果表明:不同衬底温度下Ge纳米点在SiO2薄膜上的生长模式和尺寸分布有所不同.当衬底生长温度达到500 ℃时,SiO2开始与Ge原子发生化学反应,并形成"Ge纳米点的Si窗口".在此温度条件下,外延生长实验可获得尺寸均匀且密度高达3.2×1010 cm-2的Ge纳米点.
採用磁控濺射技術在SiO2/Si(100)錶麵上製備瞭一繫列不同生長溫度的Ge納米點樣品.原子力顯微鏡(AFM)的實驗結果錶明:不同襯底溫度下Ge納米點在SiO2薄膜上的生長模式和呎吋分佈有所不同.噹襯底生長溫度達到500 ℃時,SiO2開始與Ge原子髮生化學反應,併形成"Ge納米點的Si窗口".在此溫度條件下,外延生長實驗可穫得呎吋均勻且密度高達3.2×1010 cm-2的Ge納米點.
채용자공천사기술재SiO2/Si(100)표면상제비료일계렬불동생장온도적Ge납미점양품.원자력현미경(AFM)적실험결과표명:불동츤저온도하Ge납미점재SiO2박막상적생장모식화척촌분포유소불동.당츤저생장온도체도500 ℃시,SiO2개시여Ge원자발생화학반응,병형성"Ge납미점적Si창구".재차온도조건하,외연생장실험가획득척촌균균차밀도고체3.2×1010 cm-2적Ge납미점.
