科技导报
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과기도보
SCIENCE & TECHNOLOGY REVIEW
2010年
24期
53-56
,共4页
闪锌矿ZnSe%平面波赝势方法%电子结构%第一性原理
閃鋅礦ZnSe%平麵波贗勢方法%電子結構%第一性原理
섬자광ZnSe%평면파안세방법%전자결구%제일성원리
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波赝势(PWP)方法,计算了闪锌矿结构ZnSe晶体的晶格常数、能带结构、态密度以及电荷布居.计算结果表明,闪锌矿结构的ZnSe是一种直接带隙半导体材料,其下价带主要由Zn 3d电子贡献,上价带主要由Se 4p电子形成,导带主要来自于Zn 4s电子以及Se原子最外层电子,Zn原子与Se原子之间形成的是包含弱离子键的共价键,净电荷值分别为0.14e和-0.14e.
採用基于密度汎函理論(DFT)框架下的第一性原理平麵波贗勢(PWP)方法,計算瞭閃鋅礦結構ZnSe晶體的晶格常數、能帶結構、態密度以及電荷佈居.計算結果錶明,閃鋅礦結構的ZnSe是一種直接帶隙半導體材料,其下價帶主要由Zn 3d電子貢獻,上價帶主要由Se 4p電子形成,導帶主要來自于Zn 4s電子以及Se原子最外層電子,Zn原子與Se原子之間形成的是包含弱離子鍵的共價鍵,淨電荷值分彆為0.14e和-0.14e.
채용기우밀도범함이론(DFT)광가하적제일성원리평면파안세(PWP)방법,계산료섬자광결구ZnSe정체적정격상수、능대결구、태밀도이급전하포거.계산결과표명,섬자광결구적ZnSe시일충직접대극반도체재료,기하개대주요유Zn 3d전자공헌,상개대주요유Se 4p전자형성,도대주요래자우Zn 4s전자이급Se원자최외층전자,Zn원자여Se원자지간형성적시포함약리자건적공개건,정전하치분별위0.14e화-0.14e.
