量子电子学报
量子電子學報
양자전자학보
CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
2011年
6期
737-741
,共5页
郑云哲%林冰金%张明昆%蔡加法%陈厦平%吴正云
鄭雲哲%林冰金%張明昆%蔡加法%陳廈平%吳正雲
정운철%림빙금%장명곤%채가법%진하평%오정운
光电子学%4H-SiC%p-i-n紫外光电探测器%温度特性%光电特性
光電子學%4H-SiC%p-i-n紫外光電探測器%溫度特性%光電特性
광전자학%4H-SiC%p-i-n자외광전탐측기%온도특성%광전특성
利用光电流谱法研究了300 K到60 K温度范围内的p-i-n结构4H-SiC紫外光电探测器的暗电流及相对光谱响应特性.研究发现随着温度的降低,探测器的暗电流和相对光谱响应都逐渐减小;而且,反向偏压越高,暗电流减小的速率越大.在零偏压下,随着温度的降低,器件的相对光谱响应的峰值波长先向短波方向移动,后向长波方向移动,在60 K时移至282 nm附近;同时观察到探测器的相对光谱响应范围略有缩小.此外,我们对器件p、i、n各层产生的光电流随温度变化的机理进行讨论,提出了通过减少i层缺陷和适当减小n层掺杂浓度的方式来提高器件的相对光谱响应.
利用光電流譜法研究瞭300 K到60 K溫度範圍內的p-i-n結構4H-SiC紫外光電探測器的暗電流及相對光譜響應特性.研究髮現隨著溫度的降低,探測器的暗電流和相對光譜響應都逐漸減小;而且,反嚮偏壓越高,暗電流減小的速率越大.在零偏壓下,隨著溫度的降低,器件的相對光譜響應的峰值波長先嚮短波方嚮移動,後嚮長波方嚮移動,在60 K時移至282 nm附近;同時觀察到探測器的相對光譜響應範圍略有縮小.此外,我們對器件p、i、n各層產生的光電流隨溫度變化的機理進行討論,提齣瞭通過減少i層缺陷和適噹減小n層摻雜濃度的方式來提高器件的相對光譜響應.
이용광전류보법연구료300 K도60 K온도범위내적p-i-n결구4H-SiC자외광전탐측기적암전류급상대광보향응특성.연구발현수착온도적강저,탐측기적암전류화상대광보향응도축점감소;이차,반향편압월고,암전류감소적속솔월대.재령편압하,수착온도적강저,기건적상대광보향응적봉치파장선향단파방향이동,후향장파방향이동,재60 K시이지282 nm부근;동시관찰도탐측기적상대광보향응범위략유축소.차외,아문대기건p、i、n각층산생적광전류수온도변화적궤리진행토론,제출료통과감소i층결함화괄당감소n층참잡농도적방식래제고기건적상대광보향응.