人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2011年
6期
1602-1606
,共5页
娄中士%左然%苏文佳%杨琳
婁中士%左然%囌文佳%楊琳
루중사%좌연%소문가%양림
多晶硅%隔热环%喷射冷却%数值模拟
多晶硅%隔熱環%噴射冷卻%數值模擬
다정규%격열배%분사냉각%수치모의
为了生长大晶粒的多晶硅铸锭,晶体从形核到后续生长的热场环境控制至关重要.本文首先在侧加热器与散热块之间加一可移动的隔热环.通过向上移动隔热环,并在底部喷射氩气冷却,对生长工艺进行优化控制.然后利用数值模拟,对改进后的生长界面形状、晶体和熔体中的等温线、晶体和熔体的轴向温度分布以及冷却量对生长环境的影响进行分析.模拟结果表明:冷却速率的最佳值在5 ～ 15 W/m2之间,且优化后的晶体和熔体中等温线更平坦,晶体轴向温度梯度增大约1.72 K/cm,从而可有效地避免侧壁形核,促进大晶粒的生长,同时提高了生长速率.
為瞭生長大晶粒的多晶硅鑄錠,晶體從形覈到後續生長的熱場環境控製至關重要.本文首先在側加熱器與散熱塊之間加一可移動的隔熱環.通過嚮上移動隔熱環,併在底部噴射氬氣冷卻,對生長工藝進行優化控製.然後利用數值模擬,對改進後的生長界麵形狀、晶體和鎔體中的等溫線、晶體和鎔體的軸嚮溫度分佈以及冷卻量對生長環境的影響進行分析.模擬結果錶明:冷卻速率的最佳值在5 ～ 15 W/m2之間,且優化後的晶體和鎔體中等溫線更平坦,晶體軸嚮溫度梯度增大約1.72 K/cm,從而可有效地避免側壁形覈,促進大晶粒的生長,同時提高瞭生長速率.
위료생장대정립적다정규주정,정체종형핵도후속생장적열장배경공제지관중요.본문수선재측가열기여산열괴지간가일가이동적격열배.통과향상이동격열배,병재저부분사아기냉각,대생장공예진행우화공제.연후이용수치모의,대개진후적생장계면형상、정체화용체중적등온선、정체화용체적축향온도분포이급냉각량대생장배경적영향진행분석.모의결과표명:냉각속솔적최가치재5 ～ 15 W/m2지간,차우화후적정체화용체중등온선경평탄,정체축향온도제도증대약1.72 K/cm,종이가유효지피면측벽형핵,촉진대정립적생장,동시제고료생장속솔.
