半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
7期
758-762
,共5页
刘奎伟%韩郑生%钱鹤%陈则瑞%于洋%饶竞时%仙文岭
劉奎偉%韓鄭生%錢鶴%陳則瑞%于洋%饒競時%仙文嶺
류규위%한정생%전학%진칙서%우양%요경시%선문령
高压CMOS%0.5μm%兼容工艺%模拟
高壓CMOS%0.5μm%兼容工藝%模擬
고압CMOS%0.5μm%겸용공예%모의
在Synopsys TCAD软件环境下,模拟实现了与0.5μm标准CMOS工艺兼容的高压CMOS器件,其中NMOS耐压达到108V,PMOS耐压达到-69V.在标准CMOS工艺的基础上添加三块掩膜版和五次离子注入即可完成高压CMOS器件,从而实现高、低压CMOS器件的集成.此高压兼容工艺适用于制作带高压接口的复杂信号处理电路.
在Synopsys TCAD軟件環境下,模擬實現瞭與0.5μm標準CMOS工藝兼容的高壓CMOS器件,其中NMOS耐壓達到108V,PMOS耐壓達到-69V.在標準CMOS工藝的基礎上添加三塊掩膜版和五次離子註入即可完成高壓CMOS器件,從而實現高、低壓CMOS器件的集成.此高壓兼容工藝適用于製作帶高壓接口的複雜信號處理電路.
재Synopsys TCAD연건배경하,모의실현료여0.5μm표준CMOS공예겸용적고압CMOS기건,기중NMOS내압체도108V,PMOS내압체도-69V.재표준CMOS공예적기출상첨가삼괴엄막판화오차리자주입즉가완성고압CMOS기건,종이실현고、저압CMOS기건적집성.차고압겸용공예괄용우제작대고압접구적복잡신호처리전로.
