原子能科学技术
原子能科學技術
원자능과학기술
ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
2003年
z1期
126-130
,共5页
王小英%任大鹏%郭文胜%唐洪全%张厚亮%刘卫华%姜桂芬
王小英%任大鵬%郭文勝%唐洪全%張厚亮%劉衛華%薑桂芬
왕소영%임대붕%곽문성%당홍전%장후량%류위화%강계분
离子注入%CO2%铀%抗氢化
離子註入%CO2%鈾%抗氫化
리자주입%CO2%유%항경화
利用离子注入方法,将CO2气体离解后的离子,在不同能量、束流下注入贫铀表面.利用俄歇能谱仪(AES)分析改性层中元素的浓度分布,用低角度X射线衍射仪(GAXRD)分析离子注入层的结构.在t=100℃、p＝0.2 MPa条件下,利用铀-氢气体反应测试离子注入C、O后贫铀的铀氢反应孕育期,用扫描电镜(SEM)观察试样氢化反应前后的表面形貌.结果表明:注入C、O离子后,形成了结构致密的改性层.在35 kV/8～9 mA/3 h(注入能量/注入束流/注入时间)注入条件下,改性层由UO2和石墨C组成;在65 kV/8～9 mA/3 h和3 kV/80 mA/3 h注入条件下,改性层为UO2和少量UC.UO)2和UC为低氢渗透材料,抑制了氢向基体界面的迁移和渗透,从而降低了氢化物在界面形核和长大的几率,增强了铀抗氢化性能.氢化反应后,空白贫铀试样表面出现较多的蚀坑,并造成大面积脱落,而注入样品的表面仅出现较少孤立的蚀点.
利用離子註入方法,將CO2氣體離解後的離子,在不同能量、束流下註入貧鈾錶麵.利用俄歇能譜儀(AES)分析改性層中元素的濃度分佈,用低角度X射線衍射儀(GAXRD)分析離子註入層的結構.在t=100℃、p＝0.2 MPa條件下,利用鈾-氫氣體反應測試離子註入C、O後貧鈾的鈾氫反應孕育期,用掃描電鏡(SEM)觀察試樣氫化反應前後的錶麵形貌.結果錶明:註入C、O離子後,形成瞭結構緻密的改性層.在35 kV/8～9 mA/3 h(註入能量/註入束流/註入時間)註入條件下,改性層由UO2和石墨C組成;在65 kV/8～9 mA/3 h和3 kV/80 mA/3 h註入條件下,改性層為UO2和少量UC.UO)2和UC為低氫滲透材料,抑製瞭氫嚮基體界麵的遷移和滲透,從而降低瞭氫化物在界麵形覈和長大的幾率,增彊瞭鈾抗氫化性能.氫化反應後,空白貧鈾試樣錶麵齣現較多的蝕坑,併造成大麵積脫落,而註入樣品的錶麵僅齣現較少孤立的蝕點.
이용리자주입방법,장CO2기체리해후적리자,재불동능량、속류하주입빈유표면.이용아헐능보의(AES)분석개성층중원소적농도분포,용저각도X사선연사의(GAXRD)분석리자주입층적결구.재t=100℃、p＝0.2 MPa조건하,이용유-경기체반응측시리자주입C、O후빈유적유경반응잉육기,용소묘전경(SEM)관찰시양경화반응전후적표면형모.결과표명:주입C、O리자후,형성료결구치밀적개성층.재35 kV/8～9 mA/3 h(주입능량/주입속류/주입시간)주입조건하,개성층유UO2화석묵C조성;재65 kV/8～9 mA/3 h화3 kV/80 mA/3 h주입조건하,개성층위UO2화소량UC.UO)2화UC위저경삼투재료,억제료경향기체계면적천이화삼투,종이강저료경화물재계면형핵화장대적궤솔,증강료유항경화성능.경화반응후,공백빈유시양표면출현교다적식갱,병조성대면적탈락,이주입양품적표면부출현교소고립적식점.
