半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
3期
404-409
,共6页
Floquet理论%准能%局域态%动态局域化
Floquet理論%準能%跼域態%動態跼域化
Floquet이론%준능%국역태%동태국역화
利用两点Hubburd模型和Floquet理论,用数值方法求解了含时Sch(o)dinger方程,给出了电子-空穴局域于初始态的几率在20个驱动周期内的最小值,研究了在直流和交流电场驱动下耦合双量子点分子中激子的动力学行为.结果表明,在弱场情况下,激子主要在局域态之间隧穿;在强场情况下,电子和空穴可以独立地在量子点间隧穿.驱动场倾向于使电子和空穴在空间分离,但在合适的条件下量子点中的电子和空穴在短时间内仍可以保持在初始局域态.直流电压破坏系统的动力学对称性,并对动态局域化产生影响.
利用兩點Hubburd模型和Floquet理論,用數值方法求解瞭含時Sch(o)dinger方程,給齣瞭電子-空穴跼域于初始態的幾率在20箇驅動週期內的最小值,研究瞭在直流和交流電場驅動下耦閤雙量子點分子中激子的動力學行為.結果錶明,在弱場情況下,激子主要在跼域態之間隧穿;在彊場情況下,電子和空穴可以獨立地在量子點間隧穿.驅動場傾嚮于使電子和空穴在空間分離,但在閤適的條件下量子點中的電子和空穴在短時間內仍可以保持在初始跼域態.直流電壓破壞繫統的動力學對稱性,併對動態跼域化產生影響.
이용량점Hubburd모형화Floquet이론,용수치방법구해료함시Sch(o)dinger방정,급출료전자-공혈국역우초시태적궤솔재20개구동주기내적최소치,연구료재직류화교류전장구동하우합쌍양자점분자중격자적동역학행위.결과표명,재약장정황하,격자주요재국역태지간수천;재강장정황하,전자화공혈가이독입지재양자점간수천.구동장경향우사전자화공혈재공간분리,단재합괄적조건하양자점중적전자화공혈재단시간내잉가이보지재초시국역태.직류전압파배계통적동역학대칭성,병대동태국역화산생영향.
