物理学报
物理學報
물이학보
2007年
5期
2873-2877
,共5页
丁志博%王琦%王坤%王欢%陈田祥%张国义%姚淑德
丁誌博%王琦%王坤%王歡%陳田祥%張國義%姚淑德
정지박%왕기%왕곤%왕환%진전상%장국의%요숙덕
InGaN/GaN多量子阱%高分辨X射线衍射%卢瑟福背散射/道%光致发光
InGaN/GaN多量子阱%高分辨X射線衍射%盧瑟福揹散射/道%光緻髮光
InGaN/GaN다양자정%고분변X사선연사%로슬복배산사/도%광치발광
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术以蓝宝石为衬底在n型GaN单晶层上生长了InGaN/GaN多量子阱结构外延薄膜,利用高分辨X射线衍射(HRXRD),卢瑟福背散射/沟道(RBS/channeling),以及光致发光(PL)技术对InGaN/GaN多量子阱结构薄膜分别进行了平均晶格常数计算、In原子替位率计算和In组分的定量分析.研究表明:InGaN/GaN多量子阱的水平和垂直方向平均晶格常数分别为aepi=0.3195 nm,cpei=0.5198 nm,In原子的替位率为99.3%,利用HRXRD和RBS/channeling两种分析技术计算In的组分分别是0.023和0.026,并与样品生长时设定的预期目标相符合,验证了两种实验方法的准确性;而用室温条件下的光致发光谱(PL)来计算InGaN/GaN多量子阱中In的组分是与HRXRD和RBS/channeling的实验结果相差很大,说明用PL测试In组分的方法是不适宜的.
採用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)技術以藍寶石為襯底在n型GaN單晶層上生長瞭InGaN/GaN多量子阱結構外延薄膜,利用高分辨X射線衍射(HRXRD),盧瑟福揹散射/溝道(RBS/channeling),以及光緻髮光(PL)技術對InGaN/GaN多量子阱結構薄膜分彆進行瞭平均晶格常數計算、In原子替位率計算和In組分的定量分析.研究錶明:InGaN/GaN多量子阱的水平和垂直方嚮平均晶格常數分彆為aepi=0.3195 nm,cpei=0.5198 nm,In原子的替位率為99.3%,利用HRXRD和RBS/channeling兩種分析技術計算In的組分分彆是0.023和0.026,併與樣品生長時設定的預期目標相符閤,驗證瞭兩種實驗方法的準確性;而用室溫條件下的光緻髮光譜(PL)來計算InGaN/GaN多量子阱中In的組分是與HRXRD和RBS/channeling的實驗結果相差很大,說明用PL測試In組分的方法是不適宜的.
채용금속유궤화학기상침적(MOCVD)기술이람보석위츤저재n형GaN단정층상생장료InGaN/GaN다양자정결구외연박막,이용고분변X사선연사(HRXRD),로슬복배산사/구도(RBS/channeling),이급광치발광(PL)기술대InGaN/GaN다양자정결구박막분별진행료평균정격상수계산、In원자체위솔계산화In조분적정량분석.연구표명:InGaN/GaN다양자정적수평화수직방향평균정격상수분별위aepi=0.3195 nm,cpei=0.5198 nm,In원자적체위솔위99.3%,이용HRXRD화RBS/channeling량충분석기술계산In적조분분별시0.023화0.026,병여양품생장시설정적예기목표상부합,험증료량충실험방법적준학성;이용실온조건하적광치발광보(PL)래계산InGaN/GaN다양자정중In적조분시여HRXRD화RBS/channeling적실험결과상차흔대,설명용PL측시In조분적방법시불괄의적.
