半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
2期
319-323
,共5页
范会涛%张彤%漆奇%刘丽
範會濤%張彤%漆奇%劉麗
범회도%장동%칠기%류려
SnO2%Sm2O3%C2H2%气敏元件%纳米粉体
SnO2%Sm2O3%C2H2%氣敏元件%納米粉體
SnO2%Sm2O3%C2H2%기민원건%납미분체
用化学沉淀法制备了SnO2纳米材料,利用XRD和SEM对合成产物进行了表征.采用旁热式结构制成了以SnO2为基体材料,掺杂Sm2O3的气体传感器.通过元件对C2H2气敏特性的测试表明:Sm2O3的掺杂可以明显地提高SnO2气敏材料对C2H2气体的灵敏度,当工作温度为180℃,C2H2浓度为1000ppm时,元件的灵敏度为64,响应恢复时间分别为3和20s.讨论了不同相对湿度对元件气敏特性的影响.
用化學沉澱法製備瞭SnO2納米材料,利用XRD和SEM對閤成產物進行瞭錶徵.採用徬熱式結構製成瞭以SnO2為基體材料,摻雜Sm2O3的氣體傳感器.通過元件對C2H2氣敏特性的測試錶明:Sm2O3的摻雜可以明顯地提高SnO2氣敏材料對C2H2氣體的靈敏度,噹工作溫度為180℃,C2H2濃度為1000ppm時,元件的靈敏度為64,響應恢複時間分彆為3和20s.討論瞭不同相對濕度對元件氣敏特性的影響.
용화학침정법제비료SnO2납미재료,이용XRD화SEM대합성산물진행료표정.채용방열식결구제성료이SnO2위기체재료,참잡Sm2O3적기체전감기.통과원건대C2H2기민특성적측시표명:Sm2O3적참잡가이명현지제고SnO2기민재료대C2H2기체적령민도,당공작온도위180℃,C2H2농도위1000ppm시,원건적령민도위64,향응회복시간분별위3화20s.토론료불동상대습도대원건기민특성적영향.
