压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2008年
2期
224-227
,共4页
压电陶瓷%锑锰锆钛酸铅%SiO2%低温烧结
壓電陶瓷%銻錳鋯鈦痠鉛%SiO2%低溫燒結
압전도자%제맹고태산연%SiO2%저온소결
探讨了低温烧结时SiO2掺杂对锑锰锆钛酸铅Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(PMSZT)压电陶瓷性能的影响,通过X-射线衍射及扫描电镜分析Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3+w(SiO2)(w=0.05%～0.30%,质量分数)陶瓷的相组成和显微结构.结果表明,合成温度900 ℃时,可得到钙钛矿结构.w(SiO2)不同时PMSZT试样均为四方相和三方相共存,随着w(SiO2)的增加,三方相在准同型相界中的比例略有增加.当w(SiO2)=0.10%时,得到电性能优良的压电陶瓷,相对介电常数εT33/ε0=1 290, 介质损耗tan δ=0.4%,压电常数d33=264 pC/N,机电耦合系数kp=0.59,机械品质因数Qm=3 113.SiO2的加入使PMSZT陶瓷的居里温度降低,谐振频率随温度的变化几乎都是正.
探討瞭低溫燒結時SiO2摻雜對銻錳鋯鈦痠鉛Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(PMSZT)壓電陶瓷性能的影響,通過X-射線衍射及掃描電鏡分析Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3+w(SiO2)(w=0.05%～0.30%,質量分數)陶瓷的相組成和顯微結構.結果錶明,閤成溫度900 ℃時,可得到鈣鈦礦結構.w(SiO2)不同時PMSZT試樣均為四方相和三方相共存,隨著w(SiO2)的增加,三方相在準同型相界中的比例略有增加.噹w(SiO2)=0.10%時,得到電性能優良的壓電陶瓷,相對介電常數εT33/ε0=1 290, 介質損耗tan δ=0.4%,壓電常數d33=264 pC/N,機電耦閤繫數kp=0.59,機械品質因數Qm=3 113.SiO2的加入使PMSZT陶瓷的居裏溫度降低,諧振頻率隨溫度的變化幾乎都是正.
탐토료저온소결시SiO2참잡대제맹고태산연Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(PMSZT)압전도자성능적영향,통과X-사선연사급소묘전경분석Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3+w(SiO2)(w=0.05%～0.30%,질량분수)도자적상조성화현미결구.결과표명,합성온도900 ℃시,가득도개태광결구.w(SiO2)불동시PMSZT시양균위사방상화삼방상공존,수착w(SiO2)적증가,삼방상재준동형상계중적비례략유증가.당w(SiO2)=0.10%시,득도전성능우량적압전도자,상대개전상수εT33/ε0=1 290, 개질손모tan δ=0.4%,압전상수d33=264 pC/N,궤전우합계수kp=0.59,궤계품질인수Qm=3 113.SiO2적가입사PMSZT도자적거리온도강저,해진빈솔수온도적변화궤호도시정.
