电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2008年
4期
1187-1190
,共4页
容性插值%流水斩波放大器%预平衡比较器%A/D转换器
容性插值%流水斬波放大器%預平衡比較器%A/D轉換器
용성삽치%류수참파방대기%예평형비교기%A/D전환기
实现了一种适合手持式设备应用的8 bit模数(A/D)转换器,该A/D转换器采用了2级电容插值和斩波放大技术以降低正常工作模式功耗,流水放大和预平衡比较器技术有效地提高了采样频率.测试结果表明,该流水插值A/D转换器的微分非线性(DNL)和积分非线性(INL)分别为-1～1.63LSB和-1.66～2.05LSB,其总谐波失真(THD)、去除寄生动态范围(SFDR)和信噪加失真比(SNDR)分别为-43 dB、54 dB和36.7 dB,正常工作模式和等待模式功耗分别为76 mW和5 mW.该芯片采用中芯国际(SMIC)0.18 μm单层多晶六层金属混合CMOS工艺,芯片面积为1269 μm×885 μm.
實現瞭一種適閤手持式設備應用的8 bit模數(A/D)轉換器,該A/D轉換器採用瞭2級電容插值和斬波放大技術以降低正常工作模式功耗,流水放大和預平衡比較器技術有效地提高瞭採樣頻率.測試結果錶明,該流水插值A/D轉換器的微分非線性(DNL)和積分非線性(INL)分彆為-1～1.63LSB和-1.66～2.05LSB,其總諧波失真(THD)、去除寄生動態範圍(SFDR)和信譟加失真比(SNDR)分彆為-43 dB、54 dB和36.7 dB,正常工作模式和等待模式功耗分彆為76 mW和5 mW.該芯片採用中芯國際(SMIC)0.18 μm單層多晶六層金屬混閤CMOS工藝,芯片麵積為1269 μm×885 μm.
실현료일충괄합수지식설비응용적8 bit모수(A/D)전환기,해A/D전환기채용료2급전용삽치화참파방대기술이강저정상공작모식공모,류수방대화예평형비교기기술유효지제고료채양빈솔.측시결과표명,해류수삽치A/D전환기적미분비선성(DNL)화적분비선성(INL)분별위-1～1.63LSB화-1.66～2.05LSB,기총해파실진(THD)、거제기생동태범위(SFDR)화신조가실진비(SNDR)분별위-43 dB、54 dB화36.7 dB,정상공작모식화등대모식공모분별위76 mW화5 mW.해심편채용중심국제(SMIC)0.18 μm단층다정륙층금속혼합CMOS공예,심편면적위1269 μm×885 μm.
