微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2009年
8期
460-462,472
,共4页
邱旭%李剑锋%崔玉兴%余若祺%张博闻
邱旭%李劍鋒%崔玉興%餘若祺%張博聞
구욱%리검봉%최옥흥%여약기%장박문
大功率%HPFET%高效率%内匹配
大功率%HPFET%高效率%內匹配
대공솔%HPFET%고효솔%내필배
报道了一种采用内匹配技术制作的GaAs大功率晶体管.通过管芯的结构设计和工艺优化,进行了GaAs微波大栅宽芯片的研制;通过内匹配技术对HPFET(high performance FET)管芯进行阻抗匹配,实现了器件的大功率输出;通过提高栅-漏击穿电压、降低饱和压降等手段提高器件的功率和附加效率.经测试,当器件Vds=10 V时,在5.3～5.7 GHz频段输出功率P0≥47.8 dBm(60.3 W),功率附加效率PAE≥42.8%,其中在5.5 GHz频率点,输出功率达到48 dBm(63.1 W),附加效率为46.8%.
報道瞭一種採用內匹配技術製作的GaAs大功率晶體管.通過管芯的結構設計和工藝優化,進行瞭GaAs微波大柵寬芯片的研製;通過內匹配技術對HPFET(high performance FET)管芯進行阻抗匹配,實現瞭器件的大功率輸齣;通過提高柵-漏擊穿電壓、降低飽和壓降等手段提高器件的功率和附加效率.經測試,噹器件Vds=10 V時,在5.3～5.7 GHz頻段輸齣功率P0≥47.8 dBm(60.3 W),功率附加效率PAE≥42.8%,其中在5.5 GHz頻率點,輸齣功率達到48 dBm(63.1 W),附加效率為46.8%.
보도료일충채용내필배기술제작적GaAs대공솔정체관.통과관심적결구설계화공예우화,진행료GaAs미파대책관심편적연제;통과내필배기술대HPFET(high performance FET)관심진행조항필배,실현료기건적대공솔수출;통과제고책-루격천전압、강저포화압강등수단제고기건적공솔화부가효솔.경측시,당기건Vds=10 V시,재5.3～5.7 GHz빈단수출공솔P0≥47.8 dBm(60.3 W),공솔부가효솔PAE≥42.8%,기중재5.5 GHz빈솔점,수출공솔체도48 dBm(63.1 W),부가효솔위46.8%.
