电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2011年
1期
36-39
,共4页
周群%林钢%李曦%沈国飞%曹刚%石艳玲
週群%林鋼%李晞%瀋國飛%曹剛%石豔玲
주군%림강%리희%침국비%조강%석염령
SONOS(硅/二氧化硅/氮化硅/二氧化硅/硅)%退火工艺%电荷保持性能%界面态
SONOS(硅/二氧化硅/氮化硅/二氧化硅/硅)%退火工藝%電荷保持性能%界麵態
SONOS(규/이양화규/담화규/이양화규/규)%퇴화공예%전하보지성능%계면태
SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)型非易失性存储器件的电荷保持能力与Si-SiO2界面态的质量密切相关.通过在SONOS的隧穿氧化层工艺流程中增加适当的N2O退火工艺,改善了器件的擦除深度和编程速度,从而使得SONOS器件的存储器性能得到优化.通过进一步电荷泵测试表明,电荷泵电流值Icp由1.8×10-6A减小到1.3x10-6A,减小27.8%,即隧穿氧化层与衬底之间的界面态显著减少.因此,在SONOS工艺中增加适当的N2O退火工艺,能有效地优化存储器的存储能力,提高SONOS存储性能.
SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)型非易失性存儲器件的電荷保持能力與Si-SiO2界麵態的質量密切相關.通過在SONOS的隧穿氧化層工藝流程中增加適噹的N2O退火工藝,改善瞭器件的抆除深度和編程速度,從而使得SONOS器件的存儲器性能得到優化.通過進一步電荷泵測試錶明,電荷泵電流值Icp由1.8×10-6A減小到1.3x10-6A,減小27.8%,即隧穿氧化層與襯底之間的界麵態顯著減少.因此,在SONOS工藝中增加適噹的N2O退火工藝,能有效地優化存儲器的存儲能力,提高SONOS存儲性能.
SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)형비역실성존저기건적전하보지능력여Si-SiO2계면태적질량밀절상관.통과재SONOS적수천양화층공예류정중증가괄당적N2O퇴화공예,개선료기건적찰제심도화편정속도,종이사득SONOS기건적존저기성능득도우화.통과진일보전하빙측시표명,전하빙전류치Icp유1.8×10-6A감소도1.3x10-6A,감소27.8%,즉수천양화층여츤저지간적계면태현저감소.인차,재SONOS공예중증가괄당적N2O퇴화공예,능유효지우화존저기적존저능력,제고SONOS존저성능.
